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簡介：該文針對(duì)杏樹崗油田低滲透儲(chǔ)層吸水厚度低、吸水能力較差的問題通過對(duì)杏樹崗油田低滲透儲(chǔ)層敏感性評(píng)價(jià)和儲(chǔ)層傷害機(jī)理的研究詳細(xì)分析了造成該油田注水井吸水厚度低的原因在大量室內(nèi)實(shí)驗(yàn)的基礎(chǔ)上研究開發(fā)出了針對(duì)性較強(qiáng)的酸化解堵工藝技術(shù)該文完成的主要工作有1、對(duì)地層的礦物組成、注入水水質(zhì)等進(jìn)行了調(diào)查和分析在該油田儲(chǔ)層敏感性評(píng)價(jià)實(shí)驗(yàn)及堵塞因素分析實(shí)驗(yàn)的基礎(chǔ)上確定了該油田的地層敏感性特征及堵塞特點(diǎn)從而為酸化解堵工藝技術(shù)的研究奠定了基礎(chǔ)2、在大量實(shí)驗(yàn)的基礎(chǔ)上研究出CYO2酸化液并進(jìn)行了綜合性能的測定室內(nèi)評(píng)價(jià)實(shí)驗(yàn)及物理模擬實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明該酸化解堵劑對(duì)于地層及地層堵塞物具有較強(qiáng)的溶解能力不破壞地層骨架具有低傷害的特點(diǎn)該酸化液可提高地層基質(zhì)滲透率達(dá)98﹪堵塞后地層滲透率恢復(fù)率達(dá)120﹪以上3、通過理論計(jì)算確定了注入壓力、最大泵注排量、液量等施工參數(shù)研究了固體暫堵劑確定了具體的現(xiàn)場施工工藝4、現(xiàn)場進(jìn)行了11口井試驗(yàn)介紹了總的試驗(yàn)效果進(jìn)行了單井分析和經(jīng)濟(jì)效益分析分析結(jié)果驗(yàn)證了該技術(shù)現(xiàn)場應(yīng)用的可行性

簡介：工藝決策是CAPP系統(tǒng)開發(fā)的重要內(nèi)容，其決策的科學(xué)性決定了CAPP系統(tǒng)的實(shí)用化和智能化水平。迄今為止，為企業(yè)所應(yīng)用的眾多CAPP系統(tǒng)，主要是基于二維CAD平臺(tái)開發(fā)的，均屬“填表式”或“檢索式”系統(tǒng)，其決策過程依賴于工藝人員的知識(shí)和經(jīng)驗(yàn)。本文根據(jù)三維CAD系統(tǒng)采用特征造型技術(shù)的特點(diǎn)，提出了將CAD的設(shè)計(jì)特征轉(zhuǎn)化為制造特征、并用人工智能方法實(shí)現(xiàn)工藝決策智能化的構(gòu)想，基于UG軟件平臺(tái)開發(fā)了基于實(shí)體模型的工藝決策系統(tǒng)。本文在對(duì)CAPP系統(tǒng)的研究現(xiàn)狀、存在問題進(jìn)行系統(tǒng)分析的基礎(chǔ)上，確立了用派生式與創(chuàng)成式相結(jié)合的工藝決策方法，構(gòu)建了系統(tǒng)的總體結(jié)構(gòu)，并應(yīng)用VISUALC與VISUALPROLOG語言之間的混合編程技術(shù)，開發(fā)了各功能模塊和工藝知識(shí)庫的程序接口；應(yīng)用特征提取技術(shù)，直接從三維CAD軟件UG中提取模型特征，并通過手工交互輸入方式補(bǔ)充工藝信息，建立了適于工藝決策的完整零件信息模型；在對(duì)工藝設(shè)計(jì)知識(shí)進(jìn)行歸納和總結(jié)的基礎(chǔ)上，提出了用產(chǎn)生式規(guī)則的知識(shí)表示方法，并借助人工智能開發(fā)工具VISUALPROLOG語言，開發(fā)了系統(tǒng)的知識(shí)庫和工藝推理模塊；基于反向推理與規(guī)則匹配，應(yīng)用決策樹、工步優(yōu)先系數(shù)和基于規(guī)則的混合式?jīng)Q策，實(shí)現(xiàn)了零件加工方法選擇、工藝路線排序、機(jī)床刀具選擇、加工余量生成及切削用量的確定等關(guān)鍵工藝參數(shù)的自動(dòng)推理，能較完整輸出生產(chǎn)所需的工藝文件；并通過交互設(shè)計(jì)模塊，滿足設(shè)計(jì)人員對(duì)工藝文件進(jìn)行手工編輯的需要。

簡介：傳統(tǒng)的微電子機(jī)械系統(tǒng)（MICROELECTROMECHANICALSYSTEMS，即MEMS）加工流程中所包含光刻過程一般是通過光刻掩膜版來實(shí)現(xiàn)圖形轉(zhuǎn)換。傳統(tǒng)的MEMS加工流程必然存在光刻掩膜版的制備過程，該過程設(shè)備要求高、耗時(shí)長。超短激光脈沖具有很高的峰值功率，這一特性使其適用于切割、表面修復(fù)等微加工。論文闡述了采用超短激光脈沖直寫掩膜的方式來實(shí)現(xiàn)圖形的轉(zhuǎn)換，代替原有的光刻掩膜版模式。首先利用物理或化學(xué)方法在待加工硅片表面覆蓋一層掩膜，接著利用高功率激光束刻寫硅片表面掩膜層，被刻蝕部分會(huì)被直接去除，形成圖形。這有別于傳統(tǒng)光刻膠在光刻時(shí)被改性的過程。其后的顯影過程只需清洗激光直寫時(shí)噴射出的殘留物。后期的化學(xué)刻蝕則與傳統(tǒng)MEMS加工是完全類似的，掩膜層對(duì)其下的硅片起到保護(hù)作用。激光直寫加工方式可使得MEMS加工流程減少，周期縮短，加工成本降低。因此，為區(qū)別于傳統(tǒng)MEMS加工工藝，論文中把這種工藝簡稱為MEMS短流程加工工藝。本論文對(duì)該工藝的優(yōu)化和可行性進(jìn)行了理論上的探討，對(duì)工藝關(guān)鍵技術(shù)做了實(shí)驗(yàn)研究。在短脈沖激光領(lǐng)域里，飛秒激光比納秒、皮秒激光的脈沖寬度更短，具備更高的峰值加工功率。理論分析和實(shí)驗(yàn)結(jié)果均表明飛秒激光具備熱效應(yīng)小、可加工多種材料、閾值效應(yīng)精確存在等特性，相對(duì)而言更適于MEMS短流程加工工藝中激光直寫工作。選用重復(fù)頻率1、脈沖寬度50、中心波長800飛秒激光在覆蓋有氮化硅膜層的硅片上進(jìn)行刻寫，使用氫氧化鉀進(jìn)行化學(xué)刻蝕，利用氫氟酸去除掩膜層。實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明，激光刻寫深度、激光刻寫寬度受單脈沖能量、平臺(tái)移動(dòng)速度的影響。脈沖能量保持一定時(shí)，平臺(tái)移動(dòng)速度加快則激光刻寫深度呈指數(shù)減小，而在速度大于5000時(shí)速度變化對(duì)刻寫寬度幾乎沒有影響。這一規(guī)律意味著短流程加工工藝能夠在精確去除掩膜層的前提下同時(shí)實(shí)現(xiàn)刻寫線寬的控制?？傊塘鞒碳庸な强煽氐奈⒓庸すに?。MEMS短流程加工工藝適用于少量MEMS樣品的快速開發(fā)，有著廣泛的應(yīng)用前景。

簡介：鑄造是機(jī)械產(chǎn)品毛坯重要的生產(chǎn)方法，在國民經(jīng)濟(jì)中占有重要地位。隨著世界統(tǒng)一市場的形成和市場經(jīng)濟(jì)的發(fā)展，鑄造企業(yè)面臨著日益激烈的競爭和嚴(yán)峻的挑戰(zhàn)。傳統(tǒng)的鑄造設(shè)計(jì)、生產(chǎn)方式已不能適應(yīng)市場對(duì)企業(yè)的要求。鑄造企業(yè)必須變更傳統(tǒng)的生產(chǎn)方式，引進(jìn)新技術(shù)、新方法。鑄造過程CADCAE技術(shù)用電腦建模、電腦澆鑄的方法來可視化地顯示出鑄造全過程以及缺陷形成過程。這可以徹底改變鑄造工藝方案制定過程中的不確定性，確保工藝的可行性和鑄件質(zhì)量、縮短產(chǎn)品開發(fā)周期、降低成本，對(duì)提高鑄造企業(yè)的生產(chǎn)水平和競爭力具有重要的現(xiàn)實(shí)意義。本文利用PROE作為三維造型軟件，利用MAGMASOFT對(duì)鑄造工藝優(yōu)化設(shè)計(jì)有良好的評(píng)價(jià)功能，對(duì)鑄件鑄造生產(chǎn)過程進(jìn)行了CADCAE研究。應(yīng)用該技術(shù)成功地對(duì)鑄件進(jìn)行充型凝固數(shù)值模擬，準(zhǔn)確地反映了鑄件充型凝固過程的實(shí)際狀況，預(yù)測了可能產(chǎn)生的鑄造缺陷及產(chǎn)生缺陷的部位。研究結(jié)果表明在靠近鑄件熱節(jié)及最后凝固的部位放置冒口，使之順序凝固，能有效地改善熱節(jié)狀態(tài)，可以達(dá)到消除和控制缺陷的目的，而且所模擬的閥體鑄鋼件經(jīng)過實(shí)際檢驗(yàn)，鑄件能夠達(dá)到質(zhì)量要求，這證明利用數(shù)值模擬技術(shù)優(yōu)化的鑄造工藝是有效和可行的。將CADCAE技術(shù)應(yīng)用在鑄造工業(yè)中，可以快速、準(zhǔn)確、低成本地研究鑄造生產(chǎn)全過程。采用這項(xiàng)技術(shù)對(duì)于徹底改變鑄造工藝方案制訂中的盲目性、確保鑄件質(zhì)量、提高鑄造生產(chǎn)率乃至推動(dòng)鑄造技術(shù)的發(fā)展都進(jìn)步具有舉足輕重的作用。

簡介：點(diǎn)擊查看更多合成氨一段轉(zhuǎn)化技術(shù)改造的工藝研究.pdf精彩內(nèi)容。

簡介：在科技部國際科技合作重點(diǎn)項(xiàng)目“竹質(zhì)OSB削片技術(shù)與設(shè)備研究”和國家林業(yè)局“948”項(xiàng)目“竹材OSB刨片關(guān)鍵技術(shù)引進(jìn)”的支持下，針對(duì)竹質(zhì)OSB削片技術(shù)及相應(yīng)的工藝學(xué)問題開展了系列的研究工作。1闡述了我國竹材資源的優(yōu)勢(shì)及竹質(zhì)定向刨花板BOSB的發(fā)展前景，分析并提出了制造BOSB的技術(shù)難點(diǎn)，指出竹材削片技術(shù)是亟待解決的關(guān)鍵技術(shù)問題。對(duì)應(yīng)用竹材制造BOSB進(jìn)行了調(diào)查性研究，在此基礎(chǔ)上，進(jìn)一步分析了用楠竹制造BOSB的可行性和優(yōu)越性。分析結(jié)果表明應(yīng)用優(yōu)勢(shì)資源的楠竹制造BOSB發(fā)展前景廣闊。2對(duì)竹材切削方式的研究結(jié)果表明1按竹材3剖面方向，竹材切削方式可分為橫向切削、縱向切削及端向切削3類，可細(xì)分為橫Ⅰ型切屑、橫Ⅱ型切屑、縱Ⅰ型切屑、縱Ⅱ型切屑、端Ⅰ型切屑、端Ⅱ型切屑6種類型。2竹材的切削質(zhì)量主要受竹材密度、竹材含水率、切削厚度、不同切削面等因素的影響。3切削力主要受受竹材物理性質(zhì)及主要切削參數(shù)的影響。3以湖南楠竹為基材制造BOSB，研究了不同竹刨花形態(tài)參數(shù)對(duì)BOSB性能指標(biāo)的影響，通過分析得出1在設(shè)計(jì)的試驗(yàn)范圍內(nèi)，竹刨花的BOSB的性能指標(biāo)均能達(dá)到中國林業(yè)行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的要求，但仍體現(xiàn)出不同厚度、長度尺寸的竹刨花形態(tài)參數(shù)對(duì)BOSB性能的影響；2當(dāng)竹刨花尺寸為長度110～120MM、厚度06～08MM時(shí)，所制作的BOSB的性能指標(biāo)最優(yōu)。4研究了熱壓溫度、熱壓壓力及熱壓時(shí)聞等熱壓工藝參數(shù)對(duì)BOSB性能指標(biāo)的影響，通過分析得出1當(dāng)熱壓溫度為160℃時(shí)試板的性能指標(biāo)最好，溫度過高或過低均會(huì)使BOSB板材性能指標(biāo)呈一定程度的下降；2當(dāng)熱壓壓力較低21、23MPA時(shí)，BOSB力學(xué)性能指標(biāo)均較差；隨熱壓壓力的增加，BOSB板材力學(xué)性能指標(biāo)明顯提高，但板材密度也隨之提高，致使板材原料消耗增加，成本上升。3當(dāng)熱壓時(shí)間為70SMM時(shí)，BOSB的各項(xiàng)性能指標(biāo)均為最優(yōu)。5探討了膠黏劑施膠量及相應(yīng)工藝條件對(duì)BOSB性能的影響，同時(shí)，采用掃描電子顯微鏡SESM、傅里葉變換紅外光譜儀FTIR對(duì)竹質(zhì)刨花與酚醛樹脂膠黏劑的界面以及膠黏劑的分布狀態(tài)進(jìn)行了分析。采用酚醛樹脂膠黏劑試制BOSB的優(yōu)化工藝條件為施膠量竹刨花質(zhì)量的6％～8％固體施膠方式噴膠刨花規(guī)格長寬厚110～120MM9～15MM06～08MM熱壓溫度160℃。熱壓壓力25MPA熱壓時(shí)間70SMM采用水性異氰酸酯膠黏劑試制BOSB的優(yōu)化工藝條件。刨花含水率10％。施膠量45％。交聯(lián)劑主劑比15∶85施膠方式噴膠刨花規(guī)格長寬厚110～120MM9～15MM06～08MM熱壓溫度160℃。熱壓壓力25MPA熱壓時(shí)間40SMM6BOSB削片機(jī)方案設(shè)計(jì)。主要探討制作竹材OSB加工工序相關(guān)問題，分析了影響竹材削片質(zhì)量和產(chǎn)量的相關(guān)因素。對(duì)主要設(shè)備和設(shè)施進(jìn)行了設(shè)計(jì)和分析，主要結(jié)果如下1為了提高竹材的綜合利用價(jià)值，優(yōu)化生產(chǎn)工藝，將毛竹進(jìn)行定段分級(jí)，利用次、小、梢竹材制造BOSB；2預(yù)處理設(shè)備是保證竹材定向削片的關(guān)鍵環(huán)節(jié)之一，包括竹材截段分級(jí)、縱向破竹開片、去內(nèi)節(jié)內(nèi)隔、定向排列組坯設(shè)備3為實(shí)現(xiàn)竹材毛坯自動(dòng)化定位排列，設(shè)計(jì)了定向排列自動(dòng)識(shí)別與糾正系統(tǒng)，用于生產(chǎn)線中實(shí)時(shí)檢測，及時(shí)調(diào)整毛坯正反位置，實(shí)現(xiàn)相同方向依次自動(dòng)排列；4竹材定向削片技術(shù)的主要難點(diǎn)為①當(dāng)竹材定向排列送入竹材削片機(jī)后，如何將竹條夾緊定位，防止其在切削過程中出現(xiàn)較嚴(yán)重的松動(dòng)、散亂，保持較理想的方向排列；②如何減少切削過程中竹刨花的破碎是重要技術(shù)難點(diǎn)，因竹材具有纖維間結(jié)合強(qiáng)度低的特性，在切削形成竹刨花過程中，一旦竹刨花受到橫向力的作用或撞擊，易出現(xiàn)碎裂現(xiàn)象。5設(shè)計(jì)了適合竹材制作BOSB的削片機(jī)方案。采用外環(huán)式橫Ⅰ型削片原理，在切削過程中，通過刀環(huán)內(nèi)浮動(dòng)上壓板、刀環(huán)內(nèi)固定下壓板和固定的弧形靠板的定位作用，實(shí)現(xiàn)定厚定長切削。6設(shè)計(jì)削片機(jī)刀片為2種切削刀片A型和定長劃線刀片B型。切削刀片的作用是將竹刨花從竹毛坯上切下，但在竹刨花被切下之前已被定長劃線刀片在竹材表面劃出一定深度的槽溝，切斷竹材纖維，使被切削下的竹刨花自然形成分段狀態(tài)。7削片機(jī)進(jìn)料系統(tǒng)結(jié)構(gòu)由進(jìn)料槽板、壓料輥、彈簧支座、可浮動(dòng)砧鐵、進(jìn)料輸送鏈毯、進(jìn)料驅(qū)動(dòng)輥、壓輥彈簧等組成，以確保竹毛坯在加工中準(zhǔn)確定位和牢固不動(dòng)。

簡介：中國石油大學(xué)（華東）碩士學(xué)位論文高溫多效泡沫體系的研制與注入工藝優(yōu)化技術(shù)研究姓名王秋霞申請(qǐng)學(xué)位級(jí)別碩士專業(yè)石油與天然氣工程指導(dǎo)教師王業(yè)飛郭省學(xué)20060401入蒸汽的驅(qū)替效率伴蒸汽注入FCY體系可以提高稠油油藏采收率，降低含水率；氮?dú)夂团菽瓌┖献樽罴炎⑷敕绞?。首次?yīng)用了二維矩形模型對(duì)注入時(shí)機(jī)、伴氮?dú)庾⑷敕绞胶投稳⑷敕绞椒謩e進(jìn)行物模實(shí)驗(yàn)，最終得出了最優(yōu)化的注入方式。并配套優(yōu)化設(shè)計(jì)了注入流程，該流程耐高溫350℃、耐壓23MPA，耐堿性腐蝕，可調(diào)節(jié)注入流量，工作性能穩(wěn)定，適用室外的工作環(huán)境，滿足現(xiàn)場注入泡沫劑的需要。關(guān)鍵詞稠油。注蒸汽熱采，泡沫調(diào)剖，采收率II

簡介：納米晶沉積層與納米材料一樣，具有與傳統(tǒng)材料不同的物理化學(xué)性能，而受到研究人員的關(guān)注。本文在探討了納米晶沉積層的制備技術(shù)，復(fù)合沉積層的應(yīng)用與發(fā)展，電沉積原理及其相關(guān)研究現(xiàn)狀后，提出了在噴射電沉積簡稱噴鍍的基礎(chǔ)上，結(jié)合脈沖電沉積的優(yōu)勢(shì)，制備納米晶鎳沉積層及其復(fù)合沉積層的方法，并引入激光重熔工藝，細(xì)化沉積層晶粒，提高沉積層的致密性，所完成的主要工作有1自行設(shè)計(jì)、組裝一套噴鍍?cè)囼?yàn)系統(tǒng)，使用傳統(tǒng)瓦特鍍液在脈沖電源的作用下在不銹鋼和45鋼基材表面上噴鍍納米晶鎳沉積層，再激光掃描噴沉積層以獲得激光重熔納米晶鎳沉積層。2研究了脈沖參數(shù)占空比、頻率、平均電流密度對(duì)沉積層表面顯微硬度的影響，并通過正交試驗(yàn)對(duì)工藝參數(shù)進(jìn)行優(yōu)化。結(jié)果表明，最佳脈沖工藝參數(shù)為脈沖頻率1000HZ、占空比20％、平均電流密度為398ADM2，此時(shí)沉積層表面顯微硬度最高5306HV。3采用現(xiàn)代分析手段SEM、XRD，對(duì)制備的噴鍍納米晶鎳沉積層表面的外觀形貌特征和微觀組織結(jié)構(gòu)進(jìn)行觀察。分析表明在本試驗(yàn)條件下，電流密度為398ADM2時(shí)，電沉積速率較快，而且復(fù)合沉積層表面質(zhì)量較好。與直流相比，采用脈沖電流沉積能明顯細(xì)化沉積層晶粒，并能在較高的峰值電流密度下獲得納米晶沉積層。對(duì)納米晶鎳沉積層激光重熔后，發(fā)現(xiàn)沉積層熔融區(qū)內(nèi)的晶粒尺寸明顯減小。通過XRD觀察發(fā)現(xiàn)沉積層表現(xiàn)出明顯的沿晶面111擇優(yōu)取向。4利用測試設(shè)備對(duì)沉積層的性能進(jìn)行測試分析，激光重熔后試件在顯微硬度、抗拉伸性能和耐腐蝕性能與噴鍍納米晶鎳沉積層相比均有所提高。

簡介：點(diǎn)擊查看更多靖邊氣田地層水處理工藝技術(shù)研究.pdf精彩內(nèi)容。

簡介：點(diǎn)擊查看更多ARGG裝置高產(chǎn)液化氣兼顧提高柴汽比工藝技術(shù)研究.pdf精彩內(nèi)容。

簡介：隨著生活水平的不斷提高，越來越多的人開始關(guān)注飲食問題，消化不良就是其中的嚴(yán)重問題之一。目前，主要是食用健胃消食片來解決消化不良、脾胃不和、食欲不振等問題。但中藥材辛甘酸苦咸五味雜陳，其不良味道嚴(yán)重影響了其銷售量，特別是其中苦味的影響最大。為解決此問題，本研究主要通過矯味劑法、流化床微囊化法和包合法三種矯味方法來掩蓋健胃消食片的不良味道，從而為藥物的矯味技術(shù)提供參考依據(jù)。首先，確定健胃消食片的浸提工藝最佳條件。研究發(fā)現(xiàn)浸泡05H，加入10倍于藥材質(zhì)量的水煎煮2次，每次2H。在這種浸提工藝條件下能夠獲得最大的干膏得率。矯味劑法中主要是添加阿斯巴甜、甜菊糖、甘露醇和檸檬酸等矯味劑。研究發(fā)現(xiàn)阿斯巴甜添加量為3％時(shí)對(duì)苦味有較好的掩蓋作用，且口感較為細(xì)膩甜菊糖雖然也能較好掩蓋苦味，但添加閾值較窄，太多有麻舌的不利口感甘露醇因?yàn)樘鸲忍停瑢?duì)藥物的矯味起不到明顯的作用檸檬酸添加量為1％時(shí)即能有一定的酸味掩蓋苦味，且有清涼感覺。微膠囊化矯味法中主要是確定最佳的制粒包衣條件。研究發(fā)現(xiàn)霧化壓力為015MPA，供液速度為75MLMIN，進(jìn)風(fēng)溫度為80℃時(shí)能夠達(dá)到較好的制粒效果，并且以10％的明膠為包衣液進(jìn)行底噴包衣時(shí)，增重率為80％的時(shí)候能得到較好的掩味效果。包合法中主要是以鹽酸小檗堿作為藥物模型從而得到包合法矯味過程中最大的包合率。研究發(fā)現(xiàn)通過研磨法，當(dāng)Β環(huán)糊精與鹽酸小檗堿的配比為3∶1，包合時(shí)間為20MIN，加水量為藥物質(zhì)量為3倍時(shí)能獲得最大的包合率。通過掃描電鏡和紅外光譜法對(duì)包合物進(jìn)行了鑒定，用最佳包合條件對(duì)健胃消食片進(jìn)行包合，并也通過掃描電鏡和紅外光譜法對(duì)其包合物進(jìn)行鑒定。最后，對(duì)矯味后的健胃消食片的質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)鑒定進(jìn)行了研究。通過薄層色譜發(fā)現(xiàn)矯味后健胃消食片的具有太子參的有效成分，HPLC法測定矯味后健胃消食片中橙皮苷的含量為024MG片，符合藥典中規(guī)定的大于02MG片的要求。

簡介：分類號(hào)分類號(hào)學(xué)號(hào)學(xué)號(hào)M201070589學(xué)校代碼學(xué)校代碼10487密級(jí)密級(jí)碩士學(xué)位論文碩士學(xué)位論文基于基于MAM自由成形技術(shù)的自由成形技術(shù)的ZRO2全瓷牙冠全瓷牙冠制備制備工藝工藝研究研究學(xué)位申請(qǐng)人學(xué)位申請(qǐng)人李小倩李小倩學(xué)科專學(xué)科專業(yè)材料加工工程業(yè)材料加工工程指導(dǎo)教指導(dǎo)教師張祥林師張祥林教授教授答辯日答辯日期期2013年1月11日獨(dú)創(chuàng)性聲明獨(dú)創(chuàng)性聲明本人聲明所呈交的學(xué)位論文是我個(gè)人在導(dǎo)師指導(dǎo)下進(jìn)行的研究工作及取得的研究成果。盡我所知，除文中已經(jīng)標(biāo)明引用的內(nèi)容外，本論文不包含任何其他個(gè)人或集體已經(jīng)發(fā)表或撰寫過的研究成果。對(duì)本文的研究做出貢獻(xiàn)的個(gè)人和集體，均已在文中以明確方式標(biāo)明。本人完全意識(shí)到，本聲明的法律結(jié)果由本人承擔(dān)。學(xué)位論文作者簽名日期年月日學(xué)位論文版權(quán)使用授權(quán)書學(xué)位論文版權(quán)使用授權(quán)書本學(xué)位論文作者完全了解學(xué)校有關(guān)保留、使用學(xué)位論文的規(guī)定，即學(xué)校有權(quán)保留并向國家有關(guān)部門或機(jī)構(gòu)送交論文的復(fù)印件和電子版，允許論文被查閱和借閱。本人授權(quán)華中科技大學(xué)可以將本學(xué)位論文的全部或部分內(nèi)容編入有關(guān)數(shù)據(jù)庫進(jìn)行檢索，可以采用影印、縮印或掃描等復(fù)制手段保存和匯編本學(xué)位論文。保密□，在_____年解密后適用本授權(quán)書。不保密□（請(qǐng)?jiān)谝陨戏娇騼?nèi)打“√”）學(xué)位論文作者簽名指導(dǎo)教師簽名日期年月日日期年月日本論文屬于

簡介：電鍍鋅機(jī)組是生產(chǎn)冷軋電鍍鋅帶鋼的生產(chǎn)線寶鋼2030電鍍鋅機(jī)組建成投產(chǎn)于1988年引進(jìn)日本新日鐵技術(shù)核心部分電鍍槽采用新日鐵70年代的JC槽存在著許多缺陷隨著家電、汽車行業(yè)的發(fā)展以及市場對(duì)高質(zhì)量電鍍鋅帶鋼的需求不斷增加該機(jī)組生產(chǎn)的電鍍鋅帶鋼面對(duì)市場的高質(zhì)量要求越來越難以滿足寶鋼自93年起先后對(duì)電鍍鋅機(jī)組中的有關(guān)設(shè)備和工藝開展了許多單項(xiàng)課題的研究雖解決了一些問題但無法從根本上提高產(chǎn)品質(zhì)量并確保質(zhì)量穩(wěn)定為此我們必須從系統(tǒng)上進(jìn)行研究并從定性、定量的角度來實(shí)現(xiàn)機(jī)組的系統(tǒng)技術(shù)提高形成寶鋼自已擁有的具有幾項(xiàng)國際水平的技術(shù)創(chuàng)新為提高生產(chǎn)效率、產(chǎn)品質(zhì)量、降低能耗美、日、德等國先后研究開發(fā)出高效多種、能耗低的鍍槽該課題研究的新型電鍍槽具有工作穩(wěn)定性好、減少帶鋼與陽極板發(fā)生短路現(xiàn)象及降低能耗等優(yōu)點(diǎn)是一項(xiàng)值得大力推廣應(yīng)用的新技術(shù)它解決了新型鍍槽耐蝕性和邊緣罩運(yùn)行可靠性問題在縮小陽極板間距過程中確保帶鋼的運(yùn)行平穩(wěn)通過采用合理的電鍍工藝實(shí)現(xiàn)鍍層的質(zhì)量均勻可靠可與日本第五代LCCH槽相比美該課題通過涉及鍍液成分、清潔度、流速的合理匹配和控制的實(shí)驗(yàn)室先期研究結(jié)果以結(jié)合新型槽以高電流密度實(shí)驗(yàn)為主并配以鈦陽極板的試用通過在新型槽單槽中進(jìn)行工業(yè)試驗(yàn)尋找提高產(chǎn)品質(zhì)量的最經(jīng)濟(jì)合理的并能充分發(fā)揮新型槽的電鍍工藝

簡介：在回顧金屬化技術(shù)發(fā)展、應(yīng)用和金屬化機(jī)理的基礎(chǔ)上，本文以氧化鋁陶瓷材料厚膜金屬化為研究對(duì)象，以提高金屬化漿料固著強(qiáng)度和金屬化層與陶瓷結(jié)合強(qiáng)度為主要研究目標(biāo)，以球磨濕混、絲網(wǎng)印刷和高溫?zé)傻群衲ぶ聘鞴に嚍榧夹g(shù)特征，采用粘度計(jì)，測厚儀以及拉力試驗(yàn)機(jī)等試驗(yàn)工具，系統(tǒng)研究了粘接劑對(duì)固著強(qiáng)度的影響和印刷參數(shù)對(duì)金屬化強(qiáng)度的影響規(guī)律，制備出具有較好固著強(qiáng)度和印刷性能的會(huì)屬化漿料，制定了滿足產(chǎn)品性能要求的印刷工藝參數(shù)。從理論上分析了粘接劑的粘接機(jī)理，研究了金屬化漿料固著強(qiáng)度。實(shí)驗(yàn)發(fā)現(xiàn)當(dāng)有機(jī)粘結(jié)劑中的二丁酯、乙基纖維素PVB、萜品醇的含量分別為2～3％、1013％、8488％時(shí)，可以將漿料的粘度控制在100～300PAS，使?jié){料具有較好的觸變性和分散型，即具有較好的可印刷性。從理論上對(duì)金屬化層膜厚的影響因素進(jìn)行了分析，并進(jìn)行了不同印刷參數(shù)對(duì)印刷厚度的影響試驗(yàn)，金屬化厚度影響金屬化強(qiáng)度。試驗(yàn)分析得知，金屬化厚度應(yīng)控制在10UM～351UM。研究了溫度對(duì)金屬化膜層性能的影響，發(fā)現(xiàn)獲得最佳金屬化層性能的工藝條件為153012～1550℃。

簡介：隨著無線通信技術(shù)的快速增長，普通SI工藝的半導(dǎo)體器件和集成電路已經(jīng)不能滿足發(fā)展需求。SIGEBICMOS技術(shù)具有高性能、低成本的特點(diǎn)，發(fā)展前景好，因此對(duì)SIGEBICMOS技術(shù)進(jìn)行研究有非常實(shí)際的意義。論文通過對(duì)SIGEBICMOS工藝和SIGEHBT原理的研究，確定了適用于24所工藝條件的15ΜMSIGEBICMOS工藝流程，并基于該工藝流程設(shè)計(jì)出了電學(xué)特性良好的SIGEHBT器件。首先參考國外成熟SIGEBICMOS工藝，結(jié)合24所實(shí)際工藝條件，以少量的橫向精度為代價(jià)，開發(fā)出切實(shí)可行的15ΜMSIGEBICMOS工藝流程，并設(shè)計(jì)出相應(yīng)的器件結(jié)構(gòu)。流程基于非選擇性外延，采用SIC集電區(qū)選擇性注入和外基區(qū)自對(duì)準(zhǔn)注入工藝，能大幅度提高器件性能和工藝可實(shí)現(xiàn)性?？紤]到與SICMOS器件結(jié)構(gòu)的兼容，將CMOS柵氧層、多晶硅柵和SIGEHBT外基區(qū)有效結(jié)合，減少了工藝步驟，提高了集成度。然后，通過理論分析和模擬仿真提出了基于15ΜMSIGEBICMOS工藝的SIGEHBT優(yōu)化設(shè)計(jì)原則和設(shè)計(jì)步驟。主要包括1集電區(qū)摻雜濃度和厚度確定；2基區(qū)寬度和雜質(zhì)分布形式優(yōu)化3GE組分分布形式設(shè)計(jì)，以及GE引入集電區(qū)深度確定；4發(fā)射區(qū)多晶硅摻雜濃度與單晶硅薄層厚度的計(jì)量優(yōu)化。依據(jù)以上優(yōu)化原則，設(shè)計(jì)出電學(xué)特性優(yōu)異的SIGEHBT器件，模擬結(jié)果顯示，電流放大倍數(shù)Β210，VCE25V時(shí)截止頻率FT65GHZ。最后針對(duì)非選擇性外延SIGEBICMOS工藝中的關(guān)鍵工藝－SIGE圖形外延進(jìn)行研究。利用MBE設(shè)備，在SI襯底上成功保形外延了應(yīng)變SIGE薄膜。采用SEM掃描電子顯微鏡和AFM原子力顯微鏡，得到了清晰的材料表面形貌和良好的表面粗糙度數(shù)據(jù)RMS小于045NM；利用X射線雙晶衍射儀，獲得了SIGESI良好的X射線雙晶衍射擺動(dòng)曲線；擇優(yōu)腐蝕試驗(yàn)也顯示了較小的位錯(cuò)缺陷密度1103CM32103CM3。數(shù)據(jù)顯示材料表面粗糙度和晶格完整度都滿足器件制備對(duì)材料特性的要求。