低能負離子與水覆蓋Si(111)表面散射中的共振電荷轉移動力學研究.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、離子-固體表面相互作用研究的一個重要方向就是離子和表面散射,中間主要涉及表面激發(fā)、電子發(fā)射、入射粒子的軌跡演化和能量損失以及入射離子(或原子)和表面原子的電荷交換等過程。目前,離子表面散射技術在表面分析、濺射處理、離子束改性等方面有著廣泛的應用??紤]到出射粒子的電荷態(tài)主要由表面附近的電荷轉移過程所決定,我們可以采用離子表面散射技術來探查固體表面的電子特性。
  在離子(或原子)和金屬表面的散射中,共振電荷轉移(RCT)起主導作用。

2、半導體Si具有特殊的能帶結構,即存在一個窄帶隙,并且在帶隙區(qū)域存在局域懸掛鍵表面態(tài)。由于水分子在Si表面會發(fā)生解離吸附,使得表面的懸掛鍵徹底消失,這對單獨研究表面帶隙效應非常重要。另一方面,負離子具有比較低的電子親和勢,非常適合探測表面帶隙附近的電子態(tài)。
  本論文主要研究了低能負離子(C-、O-、F-)和水覆蓋Si(111)表面的電荷轉移過程。入射能量為6.5-22.5keV,散射角為38o。散射粒子的電荷態(tài)信息由一維位置靈敏探

3、測器測量。實驗結果顯示:正離子份額比較小且隨垂直出射速度、出射角的增大單調增大;在鏡面散射條件下,負離子份額也隨垂直出射速度的增大單調增大;特別地,在入射能量一定時,負離子份額隨出射角的變化是非單調的,份額曲線呈現(xiàn)為“鐘罩形”。
  正離子的產生可用非彈性兩體碰撞模型來解釋。然而,非單調的“鐘罩形”負離子份額無法用傳統(tǒng)的自由電子氣(Jellium)模型來解釋。為此,我們采用了一個修改的共振電荷轉移模型來計算負離子份額,其結果與實驗

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