1、AlN薄膜具有一系列獨特的優(yōu)良物理化學性質，在電學、光學、聲學和力學等方面有廣闊的應用前景。尤其是AlN具有熱導率高、電阻率高、擊穿場強大、介電系數小、熱膨脹系數與GaN、GaAs等常用半導體材料匹配這些特性，使其被廣泛用作微電子和功率器件的基板、封裝、介質隔離材料。
　　 本研究工作采用MIS800型多功能離子束磁控濺射復合鍍膜設備，分別在45鋼、硅、鉬襯底上制備出了高質量的AlN薄膜。
　　 首先用XRD和SEM測試

2、手段對沉積在45鋼襯底上的AlN薄膜的結晶性能和組織結構進行了表征。結果發(fā)現，襯底溫度、氮氣濃度和工作氣壓對AIN薄膜的結晶性能和組織結構有很大的影響。通過引入AlN緩沖層，使薄膜的擇優(yōu)取向由原本的(100)晶面向(002)晶面演變；并且使薄膜的生長模式從島狀生長向層狀生長過渡，從而增加了薄膜致密度，有效的提高了薄膜的結晶質量，為生長高質量的AIN薄膜提供了實驗依據。
　　 其次，用劃痕測試儀對各個襯底上薄膜的粘結強度進行表征，

3、結果表明，薄膜與基體界面處的結合狀態(tài)是影響AlN薄膜的粘結強度的關鍵因素。一系列的對比實驗后發(fā)現，低能離子束清洗襯底表面、引入界面過渡層、對不同的襯底采用不同工藝都可以有效提高AlN薄膜的粘結強度。AlN薄膜的制備方法和工藝對薄膜的組織結構和應力等產生較大的影響，采用雙靶磁控濺射共沉積能有效改善薄膜的粘結性能，襯底溫度和工作氣壓對雙靶磁控濺射共沉積AlN薄膜粘結強度有一定影響。
　　 最后，用超高電阻測試儀和絕緣耐壓儀對薄膜的電