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簡(jiǎn)介：塑性金屬材料在各領(lǐng)域得到越來(lái)越廣泛的應(yīng)用，各種應(yīng)用對(duì)塑性金屬元件的表面質(zhì)量和形面精度的要求也在不斷提高。因此，需要采取精密超精密加工的手段來(lái)獲取理想的表面質(zhì)量。塑性金屬材料通常具有強(qiáng)度高、韌性大、延展性好、硬度低的特點(diǎn)，實(shí)現(xiàn)精密超精密光滑表面的加工比較困難。針對(duì)這一特性，作者以H62黃銅Φ80MM為研究對(duì)象，采用在線電解修整ELID磨削和精密鏡面拋光相結(jié)合的方式，對(duì)典型塑性金屬材料的精密加工工藝進(jìn)行了探索，并具體作了以下研究工作1研究H62黃銅的ELID磨削和精密鏡面拋光工藝，優(yōu)化出了最佳的加工工藝參數(shù)。研究發(fā)現(xiàn)，ELID磨削加工技術(shù)對(duì)工件表面的整平起主要作用，也可在一定程度上降低工件表面粗糙度，為后續(xù)的精密拋光加工奠定良好的基礎(chǔ)。精密機(jī)械拋光則是獲取光滑鏡面的關(guān)鍵。2探索不同加工技術(shù)下材料的加工機(jī)理。根據(jù)典型實(shí)驗(yàn)現(xiàn)象，對(duì)影響H62黃銅精密鏡面拋光的主要因素做出系統(tǒng)的理論分析，得出了影響工件表面拋光效果和加工效率的主要因素分別為拋光液、拋光墊、拋光工藝參數(shù)、ELID磨削加工。3研制出了適合H62黃銅精密鏡面加工的拋光液。該拋光液具有穩(wěn)定的物理化學(xué)性能和良好的清洗、潤(rùn)滑功效，配制方法簡(jiǎn)單、成本低。4選擇出了分別適合于H62黃銅粗拋、半精拋和精拋所用的拋光墊。實(shí)驗(yàn)發(fā)現(xiàn)，絨布、無(wú)紡布、棉布分別適合于粗拋、半精拋和精拋。5對(duì)所選精密鏡面加工方案進(jìn)行了實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證，加工出了表面粗糙度值RA0006～0009ΜM的樣件。

簡(jiǎn)介：在微電子行業(yè)，存儲(chǔ)器技術(shù)是一個(gè)快速發(fā)展的領(lǐng)域，隨著計(jì)算機(jī)和通信的發(fā)展，信息傳輸過(guò)程中信息安全的重要性越來(lái)越受到人們的重視。以ΑSI非晶硅為介質(zhì)的MTM金屬介質(zhì)金屬反熔絲結(jié)構(gòu)是目前反熔絲FPGA現(xiàn)場(chǎng)可編程門陣列、PROM可編程只讀存儲(chǔ)器廣泛采用的技術(shù)，并在汽車工業(yè)、軍事、國(guó)防、衛(wèi)星以及航空航天等領(lǐng)域上得到了廣泛的應(yīng)用，尤其是在抗輻射的領(lǐng)域內(nèi)。由于它的內(nèi)部互連結(jié)構(gòu)是天生“防輻射的”，將MTM反熔絲技術(shù)運(yùn)用到存儲(chǔ)器上，可制作出高可靠性、抗輻射的存儲(chǔ)器，具有極人的實(shí)用價(jià)值。本文從反熔絲器件的分類、發(fā)展，介紹了ONO氧化物氮化物氧化物及MTM反熔絲的應(yīng)用特點(diǎn)，MTM結(jié)構(gòu)的優(yōu)點(diǎn)。研究了以ΑSI材料為介質(zhì)的MTM結(jié)構(gòu)的制作過(guò)程以及MTM結(jié)構(gòu)的各種特性。從原理分析入手，逐個(gè)分析MTM結(jié)構(gòu)各個(gè)膜層的作用，導(dǎo)出了每個(gè)膜層的制作方法、制作原理、工藝控制方法和制作流程，其中包括對(duì)ΑSI材料單層厚度通過(guò)GRR量具重復(fù)性與再現(xiàn)性的統(tǒng)計(jì)方法研究了測(cè)試系統(tǒng)的的重復(fù)性REPEATABILITY和再現(xiàn)性REPRODUCIBILITY能力。使用DOE實(shí)驗(yàn)設(shè)計(jì)工具揭示了用濺射方法制作ΑSI材料的最佳工藝條件和各濺射工藝參數(shù)間的交互作用，以及對(duì)最終工藝結(jié)果的不同影響程度。另外也簡(jiǎn)單描述了影響反熔絲單元結(jié)構(gòu)的等離子體腐蝕工藝，描述了櫥蝕工藝中選擇比對(duì)工藝工程化的影響及控制方法。在MTM特性研究中，通過(guò)實(shí)驗(yàn)，理論研究，得到了MTM結(jié)構(gòu)的擊穿特性及漏電流特性以及編程后的RON導(dǎo)通電阻趨勢(shì)，得到了MTM結(jié)構(gòu)的整個(gè)制作流程及制作方法，對(duì)比各種工藝條件下MTM結(jié)構(gòu)顯示的不同特性，用不同的實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)證明了影響MTM反熔絲特性的主要參數(shù)是反熔絲單元面積及ΑSI厚度，同時(shí)通過(guò)對(duì)ΑSI材料不同注入能量及劑量改性實(shí)驗(yàn)的研究對(duì)器件特性的提升做了進(jìn)一步的了解。

簡(jiǎn)介：虛擬加工技術(shù)是虛擬制造的底層關(guān)鍵技術(shù)，是虛擬制造體系的重要組成部分。隨著計(jì)算機(jī)性能的不斷改善以及計(jì)算機(jī)圖形學(xué)的飛速發(fā)展，在現(xiàn)代制造工業(yè)中，虛擬加工技術(shù)已經(jīng)成為預(yù)測(cè)加工過(guò)程表現(xiàn)、產(chǎn)品質(zhì)量及加工效率的一種有效方法。本文根據(jù)焊接加工的特點(diǎn)和需求，以VISUALC60為平臺(tái)，運(yùn)用OPENGL圖形技術(shù)，開發(fā)了一個(gè)面向虛擬制造的焊接工藝仿真系統(tǒng)。本文分析和比較了幾種常用的幾何建模方法，最終選取了邊界表示法作為焊接工藝仿真系統(tǒng)中幾何建模方法，并且實(shí)現(xiàn)了不同的接頭形式和坡口形式的幾何建模。本文根據(jù)焊接加工中焊縫成型的特點(diǎn)，提出了采用三次BEZIER曲線來(lái)擬合焊縫橫截面的方法，并在此基礎(chǔ)上詳細(xì)分析了焊縫的幾何尺寸參數(shù)與BEZIER曲線控制點(diǎn)坐標(biāo)之間的數(shù)學(xué)關(guān)系。此外，本文還分別討論了三大焊接工藝參數(shù)對(duì)焊縫成形的影響，經(jīng)過(guò)焊縫幾何參數(shù)的相關(guān)計(jì)算，實(shí)現(xiàn)了不同焊接工藝下的焊接加工動(dòng)態(tài)仿真。最后，本文通過(guò)一個(gè)運(yùn)行實(shí)例表明仿真系統(tǒng)具有良好的實(shí)時(shí)性、交互性以及三維圖形顯示能力，能夠有效地模擬焊接的加工過(guò)程。

簡(jiǎn)介：湖南大學(xué)博士學(xué)位論文Ⅰ、鋰離子電池正極材料的制備技術(shù)研究Ⅱ、復(fù)雜銀精礦的提取新工藝研究姓名徐盛明申請(qǐng)學(xué)位級(jí)別博士專業(yè)分析化學(xué)指導(dǎo)教師俞汝勤沈國(guó)勵(lì)1998121ABSTRACTTHISREPORTLSCOMPOSEDOFTWOPANSANINVESTIGATIONOFSYNTHETICTECHNIQUESOFCATHODEMATERIALSFORLITHIUMIONSECONDARYBATTERIESANDNOVELEXTRACTIVEPROCESSESFORCOMPLEXSILVERCONCENTRATETHEMAINRESULTSARESUMMARIZEDASFOLLOW1BASEDONTHEINTRODUCTIONOFTHEHISTORYBACKGROUNDANDRESEARCHSITUATIONASWELLASTENDENCYOFLITHIUMIONSECONDARYBATTERIESBRIEFYTHEDEVELOPINGADVANCESOFTHECATHODEMATERIALSFORLIC002，LINI02ANDLIMN，O。ARESYSTEMICALLYREVIEWED2THETHERMOGRAVIMETRICANALYSISTGA，DIFIERENTIALTHERMALANALYSISDTA，INFRAREDRAYSPECTRAANDXRAYDIFFRACTIONANALYSESWEREUSEDFORTHEINVESTIGATIONOFTHELOWTEMPERATURESYNTHESISMECHANISMOFTHECATHODEMATERIALSFORLITHIUMIONSECONDARYBATTERIESTHROUGHTHEPECHINIPROCESSTHISPROCESSDEVELOPEDORIGINALLYTOPREPAREMETALOXIDEPOWDERSSUCHASTITANATESANDNIOBATESFORCAPACITORSHASBEENUSEDTOSYNTHESIZEAWIDEVARIETYOFOTHERELECTROCERAMICCOMPOSITIONSTHERESULTSSHOWTHATLITHIUMANDTRANSITIONMETALCATIONSARETRAPPEDHOMOGENEOUSLYONANATOMICSCALETHROUGHOUTAPOLYMERMATRIXSUCHASTRUCTUREELIMINATESTHENEEDFORLONGRANGEDIFFUSIONDURINGTHESUBSEQUENTFORMATIONOFLITHIUMTRANSITIONMETALOXIDESLIC002，LICOOSNIOSO，ANDLIMN，04，ETCTHEREFORE，ATRELATIVELYLOWTEMPERATURETHEPRECURSORCANFORMAHOMOGENEOUSSINGLEPHASEOFPRECISESTOICHIOMETRY3THEINFLUENCEOFSYNTHESISCONDITIONSONTHECOMPOSITIONSANDSTRUCTURESOFSYNTHESISPRODUCTSALONGWITHTHEIRELECTROCHEMICALPERFORMANCEWASINVESTIGATEDTHERESULTSOFSCANELECTRONICMICROSCOPYSHOWTHATTHEANNEALINGPOWDERPARTICLESAREEXTREMELYUNIFORMITYANDHAVEDIAMETERSBETWEEN016～05UMINTHEVOLTAGERANGEOF30～42VLICQ02，LINI05C00502ANDLIMN204CATHODEMATERIALSFORLITHIUMIONSECONDARYBATTERIESOFFERTHEELECTROCHEMICALCAPACITYOF129MAHG14LMAH／GAND130MAH／GRESPECTIVELY4THERESULTSOFTHEELEMENTARYTESTSINDICATETHEPECHINIPROCESSSEEMSTOBENOTSUITABLEFORTHEPREPARATIONOFLINIO，CATHODEMATERIALBECAUSETHEFORMATIONOFLI2NI80IOISINELUCTABLEINTHECOMBUSTIONOFTHEPOLYMERPRECURSOROFLINI02，WHICHTENDSTO1EADTHELOCALLACKOFOXYGENINSIDETHECHARGE

簡(jiǎn)介：傳統(tǒng)的裝配工藝設(shè)計(jì)任務(wù)一般由有經(jīng)驗(yàn)的工藝人員憑借二維圖紙手工完成，且往往需要利用物理原型進(jìn)行模裝。這種裝配工藝設(shè)計(jì)模式不可避免地存在優(yōu)化程度低、設(shè)計(jì)效率低、成本偏高等缺陷。而目前的計(jì)算機(jī)輔助裝配工藝設(shè)計(jì)也存在無(wú)法解決“組合爆炸”等問(wèn)題。基于虛擬現(xiàn)實(shí)的裝配工藝設(shè)計(jì)技術(shù)是解決上述問(wèn)題的有效途徑。本文對(duì)基于虛擬現(xiàn)實(shí)的裝配工藝設(shè)計(jì)技術(shù)進(jìn)行了深入的研究，主要完成的工作包括對(duì)基于虛擬現(xiàn)實(shí)的裝配工藝設(shè)計(jì)系統(tǒng)進(jìn)行了充分的需求分析，在此基礎(chǔ)上，提出了系統(tǒng)的體系結(jié)構(gòu)，并設(shè)計(jì)了系統(tǒng)的底層信息數(shù)據(jù)庫(kù)。研究了基于虛擬現(xiàn)實(shí)的裝配工藝設(shè)計(jì)的關(guān)鍵技術(shù)，包括構(gòu)建了系統(tǒng)的零部件底層信息模型，實(shí)現(xiàn)了從PROE到虛擬現(xiàn)實(shí)的模型信息轉(zhuǎn)換；提出了一種改進(jìn)的AABB層次包圍盒碰撞檢測(cè)算法，提高了虛擬裝配環(huán)境的碰撞檢測(cè)效率，滿足了系統(tǒng)要求；提出了虛擬裝配環(huán)境中動(dòng)態(tài)約束識(shí)別技術(shù)的實(shí)現(xiàn)方法和工作流程，實(shí)現(xiàn)了基于約束的零部件精確定位；提出了交互約束定義裝配和自動(dòng)約束識(shí)別裝配兩種不同的裝配工藝規(guī)劃方式，彌補(bǔ)了單一方式的不足，使裝配過(guò)程擬實(shí)性更強(qiáng)，并通過(guò)獲取采樣點(diǎn)的方式，實(shí)現(xiàn)了裝配路徑的記錄、顯示和編輯。利用截屏和視頻壓縮技術(shù)實(shí)現(xiàn)了裝配工藝規(guī)劃過(guò)程的錄制和回放；提出了虛擬裝配工藝設(shè)計(jì)系統(tǒng)中裝配工藝規(guī)程的制定方法。研究了基于虛擬現(xiàn)實(shí)的裝配工藝設(shè)計(jì)信息后處理技術(shù)。提出了基于WEB和XML的裝配工藝文檔動(dòng)態(tài)生成技術(shù)，實(shí)現(xiàn)了工藝文檔樣式的靈活定制及工藝文檔的遠(yuǎn)程調(diào)用；提出了基于WEB和多媒體的裝配工藝現(xiàn)場(chǎng)示教技術(shù)，通過(guò)WEB對(duì)現(xiàn)場(chǎng)工人進(jìn)行遠(yuǎn)程示教，使其更快地掌握裝配工藝。在上述研究的基礎(chǔ)上，利用VC和WTK開發(fā)了一套虛擬裝配工藝設(shè)計(jì)系統(tǒng)IVADS，并通過(guò)該系統(tǒng)在衛(wèi)星裝配工藝設(shè)計(jì)中的應(yīng)用，驗(yàn)證了基于虛擬現(xiàn)實(shí)的裝配工藝設(shè)計(jì)技術(shù)的可行性和優(yōu)越性。

簡(jiǎn)介：大豆低聚糖是由功能性因子棉子糖、水蘇糖與非功能性因子蔗糖構(gòu)成。目前大豆低聚糖主要存在于生產(chǎn)大豆分離蛋白產(chǎn)生的大量乳清廢水中，據(jù)統(tǒng)計(jì)每加工一噸大豆將排放25噸乳清廢水。一般傳統(tǒng)的分離方法如真空蒸發(fā)濃縮，由于能耗大、效益差而無(wú)法實(shí)現(xiàn)工業(yè)應(yīng)用。近年來(lái)，隨著膜分離技術(shù)研究和膜組件開發(fā)的日益發(fā)展，為低濃度溶液的分離濃縮提供了有效的手段，使大豆低聚糖的分離回收成為可能。本研究的目的正是探索一條利用膜集成技術(shù)分離純化大豆低聚糖的工藝，并盡可能提高功能性低聚糖的純度。本研究是以豆粕為原料，從生產(chǎn)大豆分離蛋白的工藝出發(fā)提取大豆低聚糖，對(duì)大豆乳清進(jìn)行預(yù)處理、樹脂脫色、超濾純化和納濾分離濃縮等精制大豆低聚糖的過(guò)程進(jìn)行了比較系統(tǒng)的研究，確定了各個(gè)操作單元的最佳工藝參數(shù)。堿溶酸沉法提取大豆低聚糖通過(guò)單因素和正交實(shí)驗(yàn)分析，最終確定最佳工藝參數(shù)為粉碎粒度70目、PH9、時(shí)間1H、溫度50℃、料液比114。此工藝參數(shù)與工業(yè)上生產(chǎn)大豆分離蛋白的工藝參數(shù)基本一致。大豆乳清預(yù)處理采用熱處理技術(shù)，即70℃水浴保持10～15MIN，這樣可以除去80％左右的蛋白質(zhì)。然后調(diào)節(jié)PH值到75左右，進(jìn)行絮凝沉淀，除去磷酸、植酸以及無(wú)機(jī)陽(yáng)離子等雜質(zhì)。此預(yù)處理工藝不需要加入CACL，因?yàn)槠洳坏荒芴岣叩鞍踪|(zhì)去除率而且還會(huì)加重后續(xù)超濾過(guò)程的濃差極化現(xiàn)象?；钚蕴棵撋淖罴褩l件為溫度50℃、反應(yīng)時(shí)間20MIN、PH45，活性炭用量為固形物的1％。MN202樹脂脫色效果比活性炭好，且對(duì)低聚糖沒(méi)有吸收，其脫色能力為310LM。在超濾試驗(yàn)中，根據(jù)滲透通量、蛋白質(zhì)截留率和總糖透過(guò)率三方面因素考慮，我們選擇截留分子量為10000的PE聚砜膜為試驗(yàn)用膜。確定此中空纖維膜組件最佳操作條件為大豆乳清PH值為7左右；壓力為006MPA～007MPA，；溫度控制在40～45℃范圍內(nèi)；流速在超濾設(shè)備穩(wěn)定運(yùn)行的前提下，越快越好，既達(dá)到湍流狀態(tài)，本儀器采用速度檔73MLMIN。其蛋白質(zhì)截流率為8536％，總糖透過(guò)率為885％。對(duì)大豆乳清超濾透過(guò)液進(jìn)行納濾試驗(yàn)表明，隨著操作壓強(qiáng)的增大，三種無(wú)機(jī)鹽的截留率都有所升高；隨著操作溫度的升高，NACL、CACL的截流率都有所下降，而對(duì)NASO的截流率影響不大；隨著料液濃度增大，NACL、CACL的截留率都有所下降，而NASO的截留率基本不變。此納濾膜組件大連屹東膜工程設(shè)備有限公司最佳操作條件為壓強(qiáng)06MPA，、溫度45℃，濃縮倍數(shù)可達(dá)到10倍以上，隨著濃縮倍數(shù)增大，無(wú)機(jī)鹽截流率越低，脫鹽效果越好?？偺墙亓髀驶九c濃縮倍數(shù)無(wú)關(guān)，約在90％左右。最終確定產(chǎn)品中功能性低聚糖棉子糖、水蘇糖的純度為3554％。

簡(jiǎn)介：制造業(yè)在為人類創(chuàng)造大量物質(zhì)財(cái)富的同時(shí)也帶來(lái)了嚴(yán)重的環(huán)境污染、資源與能源過(guò)渡消耗問(wèn)題。為了滿足可持續(xù)發(fā)展的需要制造業(yè)必須盡可能有效地利用有限的資源并減輕對(duì)環(huán)境的污染。綠色制造是一種現(xiàn)代企業(yè)可持續(xù)發(fā)展模式它具有顯著的社會(huì)效益和經(jīng)濟(jì)效益將成為本世紀(jì)制造業(yè)的一個(gè)重要特點(diǎn)。綠色制造實(shí)施的關(guān)鍵技術(shù)之一就是綠色工藝規(guī)劃它對(duì)于減少加工過(guò)程中對(duì)資源的消耗和對(duì)廢棄物的排放具有非常重要意義。目前大多數(shù)相關(guān)的研究還局限在綠色工藝規(guī)劃理論方法方面的研究缺乏對(duì)綠色制造中的具體工藝和關(guān)鍵技術(shù)的系統(tǒng)研究和在工程上的應(yīng)用。本文介紹了機(jī)械加工工藝規(guī)劃的基本概念闡述了面向機(jī)械加工工藝規(guī)劃的綠色制造研究體系對(duì)機(jī)械加工工藝過(guò)程資源消耗與環(huán)境狀況進(jìn)行了分析；研究了機(jī)械加工綠色制造評(píng)價(jià)方法建立了綠色制造工藝的TOPSIS多目標(biāo)決策模型指導(dǎo)了企業(yè)綠色制造技術(shù)的機(jī)械加工生產(chǎn)。

簡(jiǎn)介：隨著建筑業(yè)對(duì)鋼筋的需求量和性能的要求越來(lái)越高經(jīng)濟(jì)生產(chǎn)出具有高強(qiáng)度、良好的綜合性能的建筑用鋼筋提高產(chǎn)品的競(jìng)爭(zhēng)性是每個(gè)建筑用棒材生產(chǎn)企業(yè)追求的目標(biāo)螺紋鋼筋是建筑工程中混凝土結(jié)構(gòu)體廣泛應(yīng)用的鋼材在國(guó)民經(jīng)濟(jì)中耗用量很大但是幾十年來(lái)中國(guó)的建筑行業(yè)所使用的鋼筋一直是以強(qiáng)度級(jí)別為335MPA的Ⅱ級(jí)鋼筋為主導(dǎo)而歐美等國(guó)家主要采用強(qiáng)度高、綜合性能好的400MPA、500MPA鋼筋經(jīng)過(guò)多年的生產(chǎn)和使用實(shí)踐提高中國(guó)建筑鋼筋強(qiáng)度級(jí)別的生產(chǎn)從單一地通過(guò)添加合金元素的方法逐漸向通過(guò)控制軋制和控制冷卻相結(jié)合的方法過(guò)渡節(jié)約了合金減少了能耗提高了鋼材質(zhì)量降低了成本取得了比較滿意的成果鋼筋的余熱淬火是一種比較成熟的提高鋼筋性能的現(xiàn)場(chǎng)生產(chǎn)工藝但在鋼筋進(jìn)入精軋機(jī)組前的預(yù)冷工藝是國(guó)內(nèi)棒線連軋鋼廠比較少采用的生產(chǎn)方式該論文正是以國(guó)內(nèi)某鋼鐵公司新引進(jìn)的采用這樣工藝棒線材連軋生產(chǎn)線為基礎(chǔ)為制定合理的控制冷卻工藝制度而展開的在實(shí)驗(yàn)研究中通過(guò)激光脈沖法測(cè)得了20MNSIV和25MNV兩種鋼材的熱擴(kuò)散率Α滴落式銅卡計(jì)法測(cè)得了平均比熱CP阿基米德排水稱重法測(cè)量了密度Ρ最終求得了不同溫度下兩鋼材的熱導(dǎo)率為溫度場(chǎng)模擬計(jì)算提供了精確的邊界條件利用GLEEBLE2000熱模擬試驗(yàn)機(jī)測(cè)得了兩鋼種在兩個(gè)不同變形溫度下的CCT曲線為制定合理的控制軋制與控制冷卻工藝提供了可靠的依據(jù)該文理論研究中主要利用ANSYS有限元分析軟件對(duì)該鋼鐵公司Φ25MM和Φ40MM兩個(gè)典型產(chǎn)品的余熱淬火工藝進(jìn)行溫度場(chǎng)模擬分析了余熱淬火和回火時(shí)的瞬態(tài)溫度場(chǎng)分析結(jié)果表明棒材表面完全可以淬成馬氏體并且尺寸效應(yīng)對(duì)棒材溫度分布的影響很大這些研究結(jié)果對(duì)現(xiàn)場(chǎng)生產(chǎn)實(shí)踐都有積極的指導(dǎo)作用

簡(jiǎn)介：該文第一章緒言部分介紹了MOCVD技術(shù)的發(fā)展現(xiàn)狀和展望以及鎳膜的化學(xué)氣相沉積現(xiàn)狀和存在的問(wèn)題并闡述了課題的研究目的和意義第二章重點(diǎn)介紹了實(shí)驗(yàn)裝置的設(shè)計(jì)和改進(jìn)也簡(jiǎn)介了工藝原理和測(cè)控系統(tǒng)實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明相對(duì)于立式反應(yīng)室使用臥式反應(yīng)室不僅能夠提高前驅(qū)體的利用效率而且容易保證密封性另外在沉積過(guò)程中沉積襯底玻璃管上出現(xiàn)溫度梯度因此在一個(gè)實(shí)驗(yàn)周期中可獲得不同溫度下沉積的薄膜第三章是實(shí)驗(yàn)部分重點(diǎn)介紹了影響沉積速率的各種因素、不同沉積襯底對(duì)薄膜質(zhì)量的影響、最佳工藝參數(shù)的獲取以及組織分析等最后還簡(jiǎn)介了羰基鐵的沉積特性第四章結(jié)合有關(guān)薄膜生長(zhǎng)理論對(duì)部分實(shí)驗(yàn)結(jié)果作了定性的分析第五章對(duì)全文作了總結(jié)提出了一些有意義的結(jié)論同時(shí)也闡明了需進(jìn)一步解決的問(wèn)題

簡(jiǎn)介：巴陵石化分公司制氫裝置以石腦油為原料，采取烴類蒸汽轉(zhuǎn)化工藝制取氫氣，其關(guān)鍵工序是石腦油蒸汽轉(zhuǎn)化。蒸汽轉(zhuǎn)化在轉(zhuǎn)化爐內(nèi)進(jìn)行，轉(zhuǎn)化爐為固定床管式反應(yīng)器。在溫度780～820℃，壓力25～29MPA，水碳比45～55條件下，石腦油與水蒸汽發(fā)生轉(zhuǎn)化反應(yīng)生成H2、CO、CO2和CH4，然后，再經(jīng)過(guò)變換、脫碳、甲烷化和變壓吸附制取高純度的氫氣。同時(shí)，在轉(zhuǎn)化爐內(nèi)除發(fā)生轉(zhuǎn)化反應(yīng)外，還伴隨著石腦油的裂解、析碳、消碳和結(jié)焦等反應(yīng)，隨著石腦油品質(zhì)降低，催化劑表面積碳越來(lái)越明顯。一旦出現(xiàn)比較嚴(yán)重的積碳，轉(zhuǎn)化爐管就會(huì)產(chǎn)生花斑和紅管，影響傳熱效率，甚至使催化劑床層阻力升高，爐管爆裂，裝置被迫停工。由于該裝置使用的石腦油干點(diǎn)在180～210℃，積碳的傾向很明顯，導(dǎo)致裝置開工周期很短，最短半年，最長(zhǎng)一年，給公司的安全生產(chǎn)造成了很大的被動(dòng)。從1999年開始，巴陵分公司與齊魯石化公司研究院、洛陽(yáng)石化工程公司一道，致力于開發(fā)烴類蒸汽預(yù)轉(zhuǎn)化新工藝，以延長(zhǎng)裝置的開工周期。經(jīng)過(guò)三年多的努力，于2002年10月成功開發(fā)出預(yù)轉(zhuǎn)化新工藝，并研制出了合適的預(yù)轉(zhuǎn)化催化劑。預(yù)轉(zhuǎn)化反應(yīng)的原理是，在絕熱固定床反應(yīng)器內(nèi)，在溫度400～480℃，壓力25～29MPA，水碳比20～25條件下，石腦油與水蒸汽發(fā)生預(yù)轉(zhuǎn)化反應(yīng)生成富甲烷氣體，然后，富甲烷氣體再進(jìn)入轉(zhuǎn)化爐與水蒸汽發(fā)生轉(zhuǎn)化反應(yīng)。由于轉(zhuǎn)化爐內(nèi)的原料氣發(fā)生了根本的改變，積碳的傾向大大降低。從幾年來(lái)的運(yùn)行情況看，該工藝取得了巨大的成功，裝置的生產(chǎn)負(fù)荷提高了40％，開工周期延長(zhǎng)到了四年，為公司的安全生產(chǎn)和擴(kuò)能增效作出非常大的貢獻(xiàn)。本文介紹了烴類蒸汽轉(zhuǎn)化、預(yù)轉(zhuǎn)化反應(yīng)的機(jī)理，預(yù)轉(zhuǎn)化催化劑的研制和預(yù)轉(zhuǎn)化工藝的開發(fā)過(guò)程。

簡(jiǎn)介：泡沫陶瓷是一種特殊工藝制作的孔隙率高達(dá)70％～90％并具有三維立體網(wǎng)絡(luò)骨架結(jié)構(gòu)和貫通氣孔的新型多孔陶瓷材料。它具有化學(xué)性能穩(wěn)定、強(qiáng)度高、耐高溫、抗熱震性好、比表面積大等諸多優(yōu)點(diǎn)。實(shí)驗(yàn)研制的氧化鋁泡沫陶瓷采用有機(jī)泡沫浸漬法，該工藝技術(shù)操作方便，制造成本低，是一種經(jīng)濟(jì)實(shí)用及具有廣闊發(fā)展前景的多孔陶瓷制造工藝。文中詳細(xì)介紹和分析了制備工藝過(guò)程和關(guān)鍵步驟，系統(tǒng)研究了各種因素對(duì)氧化鋁泡沫陶瓷性能的影響。實(shí)驗(yàn)選用聚氨脂海綿作為前驅(qū)體，獨(dú)創(chuàng)性地把聚氨脂海綿經(jīng)等離子表面改性處理，使其發(fā)生明顯變化，得到性能優(yōu)異的泡沫陶瓷。聚氨脂海綿親水性較差，經(jīng)過(guò)堿處理，再用甲基纖維素溶液或等離子處理后，聚氨脂海綿的孔筋表面粗糙度增大，同時(shí)它與漿料的潤(rùn)濕性能得到了改善，聚氨脂海綿的掛漿量增加。有機(jī)泡沫浸漬工藝要求浸漬用的漿料具有良好的性能。在漿料中加入適當(dāng)?shù)奶砑觿┛色@得高固相含量、均勻穩(wěn)定、流變性良好、適于浸漬的漿料。研究表明，水基漿料中加入質(zhì)量分?jǐn)?shù)為05％的分散劑聚丙烯酸胺獲得的漿料性能最優(yōu)。生坯的強(qiáng)度對(duì)于最終結(jié)果有重要的影響，通過(guò)比較討論硅溶膠作為粘結(jié)劑，加入質(zhì)量分?jǐn)?shù)為05％硅溶膠時(shí)的效果比較理想，生坯強(qiáng)度較高，有效防止了生坯在燒結(jié)過(guò)程中的塌陷。燒結(jié)工藝對(duì)制品性能有重要影響。通過(guò)對(duì)聚氨脂海綿和生坯進(jìn)行TGDTA分析制定了合適的升溫制度聚氨脂海綿在450℃完全分解。借助TGDTA，XRD，SEM等研究了試樣在熱處理過(guò)程中的物理化學(xué)變化，燒結(jié)體的物相組成及其顯微結(jié)構(gòu)。燒結(jié)體以A氧化鋁，為主晶相，其次是莫來(lái)石、堇青石。通過(guò)對(duì)氧化鋁泡沫陶瓷進(jìn)行測(cè)試各項(xiàng)性能為抗彎強(qiáng)度14MPA，抗壓強(qiáng)度25MPA，耐酸度9933，耐堿度9906，軟化溫度1300℃以上，熱膨脹系數(shù)在1610～2510℃，容重028～048GCM等。實(shí)驗(yàn)研制的氧化鋁泡沫陶瓷缺陷少，結(jié)構(gòu)均勻，具有優(yōu)異的性能。

簡(jiǎn)介：工藝信息系統(tǒng)是實(shí)現(xiàn)計(jì)算機(jī)集成制造的關(guān)鍵要素之一它是連接設(shè)計(jì)與制造以及其它企業(yè)信息系統(tǒng)的橋梁在先進(jìn)制造技術(shù)、先進(jìn)制造思想、軟件技術(shù)和網(wǎng)絡(luò)技術(shù)的推動(dòng)下工藝信息系統(tǒng)正在向工藝設(shè)計(jì)與管理一體化、智能化、工具化的方向發(fā)展針對(duì)現(xiàn)代工藝信息系統(tǒng)中數(shù)據(jù)處理能力有限結(jié)構(gòu)相對(duì)固化和二次開發(fā)工作量大的缺點(diǎn)該文提出了基于組件技術(shù)的工藝信息系統(tǒng)的體系結(jié)構(gòu)詳細(xì)闡述了組件開發(fā)技術(shù)規(guī)范并在該體系結(jié)構(gòu)的基礎(chǔ)上論述了工藝信息系統(tǒng)組件拆分原則和工藝信息系統(tǒng)組件設(shè)計(jì)原則并且提出了基于虛擬數(shù)據(jù)庫(kù)的數(shù)據(jù)庫(kù)實(shí)現(xiàn)技術(shù)建立了可用于指導(dǎo)工藝信息系統(tǒng)軟件開發(fā)的理論和方法體系

簡(jiǎn)介：IDDQ測(cè)試?yán)碚撘唤?jīng)提出便引起了集成電路領(lǐng)域的廣泛關(guān)注。作為有效的VLSI測(cè)試手段IDDQ測(cè)試在檢測(cè)芯片的物理缺陷提高測(cè)試覆蓋率裸芯片的篩選芯片的老化檢驗(yàn)等方面發(fā)揮著巨大作用。深亞微米時(shí)代的IDDQ測(cè)試技術(shù)有別于傳統(tǒng)意義的IDDQ雖然新的IDDQ測(cè)試方法仍然以芯片電源電流為研究對(duì)象但它不再象傳統(tǒng)IDDQ測(cè)試方法一樣簡(jiǎn)單增加數(shù)十個(gè)電流測(cè)量點(diǎn)來(lái)僅僅完成對(duì)芯片物理缺陷的篩選而是輔助于EDA工具并根據(jù)其支持的故障模型生成高故障覆蓋率的測(cè)試向量表完成高密度的與芯片狀態(tài)相關(guān)的電流點(diǎn)的測(cè)量；其測(cè)試數(shù)據(jù)的處理方法也不再局限于傳統(tǒng)IDDQ的單一閾值比較法而是應(yīng)用多種統(tǒng)計(jì)學(xué)處理方法消除測(cè)量數(shù)據(jù)中的干擾因素突出與器件內(nèi)部狀態(tài)密切相關(guān)的電流變化并以此變化為依據(jù)實(shí)現(xiàn)對(duì)芯片的判定。事實(shí)證明良好的IDDQ測(cè)試解決方案不僅是對(duì)功能測(cè)試掃描測(cè)試的有效補(bǔ)充很多的時(shí)候可以取代甚至超越上述測(cè)試手段國(guó)外的科研人員已對(duì)此展開了諸多深入研究而國(guó)內(nèi)由于VLSI測(cè)試技術(shù)相對(duì)落后缺乏對(duì)復(fù)雜芯片的測(cè)試能力在加上深亞微米時(shí)代新的IDDQ測(cè)試方法應(yīng)用復(fù)雜等原因?qū)DDQ測(cè)試的研究及應(yīng)用較少尚無(wú)對(duì)此的公開研究報(bào)道。本文在深入分析IDDQ測(cè)試原理的基礎(chǔ)上針對(duì)先進(jìn)的018ΜM工藝技術(shù)實(shí)現(xiàn)的高清電視視頻處理芯片實(shí)現(xiàn)深亞微米工藝芯片下多種方法IDDQ的測(cè)試通過(guò)對(duì)樣本芯片測(cè)試結(jié)果的比較提出了一套針對(duì)此芯片的高效的深亞微米工藝IDDQ輔助測(cè)試解決方案并根據(jù)解決方案中可能影響測(cè)試結(jié)果的多種因素進(jìn)行討論在測(cè)試過(guò)程中提出了很多創(chuàng)新性的改進(jìn)辦法如應(yīng)用差分計(jì)算來(lái)篩選高質(zhì)量且穩(wěn)定的電流測(cè)試向量；采用多種篩選方法對(duì)用于計(jì)算閾值的樣本芯片的進(jìn)行篩選剔除掉行為異常的樣本芯片確保高質(zhì)量的閾值計(jì)算；采用歸一化的數(shù)據(jù)處理方法消除數(shù)據(jù)自身的干擾突出數(shù)據(jù)之間的差異等。通過(guò)成功地實(shí)現(xiàn)了真正意義上地深亞微米工藝下芯片的IDDQ測(cè)試有效地減少了芯片測(cè)試成本降低了芯片失效率從而為國(guó)內(nèi)該領(lǐng)域的測(cè)試技術(shù)提供了有價(jià)值的研究成果。

簡(jiǎn)介：吉林油田海坨油區(qū)位于松遼盆地南部中央坳陷海坨構(gòu)造，其目的層為薩爾圖、葡萄花、高臺(tái)子、扶余等油氣層。所鉆遇地層具有泥巖段長(zhǎng)、地層壓力低、地層裂縫發(fā)育等特征。在以往鉆井過(guò)程中頻繁發(fā)生井漏，因嚴(yán)重漏失引起上部長(zhǎng)泥巖段井壁失穩(wěn)造成井下復(fù)雜情況增加，甚至井眼報(bào)廢，大大影響了該地區(qū)的勘探開發(fā)，同時(shí)，大量鉆井液的漏失對(duì)儲(chǔ)層造成了一定的傷害，影響了勘探開發(fā)的效果。本項(xiàng)目研究是結(jié)合該地區(qū)勘探開發(fā)特點(diǎn)，本著高效低成本鉆探的原則，大力推進(jìn)“邊研究、邊試驗(yàn)、邊總結(jié)、邊推廣”的項(xiàng)目管理機(jī)制而展開的。經(jīng)過(guò)對(duì)地層特性與漏失特點(diǎn)的分析，科學(xué)的劃分了漏失區(qū)域，并針對(duì)一般漏失區(qū)研究開發(fā)了低成本的高效橋堵鉆井液技術(shù)；針對(duì)嚴(yán)重漏失區(qū)研究開發(fā)了微泡沫鉆井液防漏堵漏技術(shù)；為了實(shí)現(xiàn)高效低成本開發(fā)該地區(qū)，開展了流體舉升反循環(huán)鉆井技術(shù)以及防漏水泥漿固井技術(shù)，該項(xiàng)目研究突破了嚴(yán)重漏失地層多年無(wú)法逾越的鉆井難關(guān)。應(yīng)用鉆井液橋堵技術(shù)完成高臺(tái)子油層勘探鉆井3口；應(yīng)用微泡沫鉆井液防漏堵漏技術(shù)完成嚴(yán)重漏失井5口，鉆達(dá)高臺(tái)子油層成功率100％；流體舉升反循環(huán)鉆井技術(shù)試驗(yàn)1口井，試驗(yàn)鉆進(jìn)1米；應(yīng)用防漏水泥漿固井技術(shù)解決了低密度水泥漿固井技術(shù)的不足之處。這套技術(shù)成功的應(yīng)用擴(kuò)大了海坨地區(qū)的勘探成果。青一段高臺(tái)子油層勘探潛力有利范圍120平方千米，3000萬(wàn)噸潛力，扶余油層2000萬(wàn)噸可升級(jí)控制規(guī)模。擴(kuò)大勘探儲(chǔ)量5000萬(wàn)噸，展現(xiàn)了吉林油田海坨地區(qū)良好的勘探開發(fā)前景。

簡(jiǎn)介：隨著CMOS器件尺寸的不斷變小一方面由于通過(guò)SIO2或SION柵介質(zhì)的隧穿電流呈數(shù)量級(jí)的增大SIO2和SION柵介質(zhì)需要被具有更高介電常數(shù)高K的介質(zhì)所取代另一方面由于多晶硅柵存在著耗盡效應(yīng)以及與高K柵介質(zhì)的兼容性問(wèn)題如費(fèi)米能級(jí)釘扎和遷移率降級(jí)效應(yīng)多晶硅柵需要被具有更高電導(dǎo)率的金屬柵所取代。全硅化物FUSI金屬柵具有功函數(shù)調(diào)制范圍大、與CMOS工藝兼容性好等優(yōu)點(diǎn)而被認(rèn)為是很有發(fā)展前景的一種金屬柵技術(shù)。本論文對(duì)NIFUSIMOS電容的工藝、電學(xué)性能、功函數(shù)調(diào)制、SISIO2界面特性以及電學(xué)表征技術(shù)進(jìn)行了研究獲得了以下研究結(jié)果1MOS電容測(cè)量理論和分析。通過(guò)研究交流頻率和電容面積對(duì)MOS電容測(cè)量結(jié)果的影響發(fā)現(xiàn)當(dāng)氧化層漏電比較大時(shí)如超薄柵氧情形必須使用三元或四元等效電路模型；減小電容面積可以有效地減小損耗因子D得到準(zhǔn)確的電容電壓CV特性曲線。2預(yù)注入多晶硅NIFUSI金屬柵。首先論文研究了三種不同厚度的氧化層上通過(guò)濺射ASI和金屬NI進(jìn)行固相反應(yīng)形成NIFUSI金屬柵的工藝及特性形成的NISI柵電極的功函數(shù)為440EV。其次論文研究了多晶硅中離子注入和激活尖峰退火對(duì)SIO2柵介質(zhì)上NIFUSI柵功函數(shù)和SIO2SI100界面特性的影響用高頻CV和光照高頻CV測(cè)量了SIO2SI界面態(tài)密度。多晶硅中離子注入AS或B后全硅化退火后MOS電容的平帶電壓分別往負(fù)或正方向移動(dòng)。AS摻雜多晶硅還原性退火后容易分層或剝離。未摻雜多晶硅熱穩(wěn)定性好還原性氣體退火前后功函數(shù)分別是475EV和474EV。從光照高頻CV曲線提取的界面態(tài)密度和從高頻CV結(jié)合光照高頻CV曲線提取的界面態(tài)密度吻合較好。在還原性退火前AS和B離子注入后尖峰退火的NIFUSIMOS電容界面態(tài)在價(jià)帶上大致063～074EV處存在特征峰值強(qiáng)度從571012到121013CM2EV1這種界面態(tài)與SIO2SI100界面的SI原子懸掛鍵對(duì)應(yīng)的PB缺陷有關(guān)。還原性氣氛退火可消除這種界面缺陷。3NI稀土金屬合金FUSI金屬柵。研究了NI稀土金屬合金法制備FUSI金屬柵工藝以及HO、ER合金對(duì)柵電極薄層電阻和功函數(shù)的影響。隨HO濃度從0％增加到10％和30％形成的FUSI金屬柵的薄層電阻從14ΩSQ分別增加到18ΩSQ和31ΩSQ平帶電壓從031V減小到050V和058V這可歸因于HO元素引起的功函數(shù)降低。隨ER濃度從0％增加到10％和32％形成的硅化物的薄層電阻從14ΩSQ分別增加到21ΩSQ和49ΩSQ。10％厚度百分比的ER可以大致減小功函數(shù)017EV。