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簡介：在眾多的石油、天然氣輸送方式中管道輸送方式被認為最合理和最經濟的方式是。近年來隨著油氣田的開采向邊遠的荒漠、極地凍土帶和海洋等區(qū)域發(fā)展在油氣輸送管線的建設中對管道的各方面性能的要求不斷提高在地質條件復雜的地區(qū)如不連續(xù)凍土層、地震帶、采空區(qū)服役的管線常常要承受超過彈性極限的塑性變形因此發(fā)展了基于應變的管線設計方法這對油氣輸送管道的應變性能提出了很高的要求。本文主要從兩個方面對基于應變設計高鋼級管線鋼管的應變性能進行研究一個方面是鋼管母材的性能研究另一個方面是鋼管發(fā)生變形引起結構失效時的應變容量即管線鋼管在位移控制載荷下發(fā)生彎曲變形并出現(xiàn)屈曲時的臨界壓縮應變研究。由于管線鋼管在服役過程中具有復雜的載荷條件小試樣試驗的結果不足以提供可信服的服役條件下的變形行為預測所以全尺寸實物試驗是本次研究中使用的主要手段與此同時逆向工程技術和有限元計算分析相結合的數(shù)值模擬試驗也在本次研究中被采用它很好的彌補了實物試驗高成本和試驗周期過長的不足。通過研究發(fā)現(xiàn)影響鋼管的應變性能的因素包括鋼管母材縱向的屈強比、均勻延伸率、應力應變曲線形狀、鋼管本身的結構、鋼管存在的幾何外形缺陷等。綜上所述本研究對基于應變設計條件下高鋼級管線鋼管應變性能評價具有參考價值同時對鋼管生產有指導意義。

簡介：點擊查看更多基于環(huán)量分布的高比轉速混流泵的設計、數(shù)值模擬及試驗研究.pdf精彩內容。

簡介：流化床反應器是化工冶金工業(yè)中一種重要的反應器，是生產環(huán)節(jié)中非常重要的設備。隨著化工和冶金技術要求的不斷提升，開發(fā)基于流化床反應器的自動控制系統(tǒng)對反應過程的效率和操作性能都有很大提高。本文在課題組對高硫鋁土礦焙燒預處理方面的前期研究基礎上，針對流化床反應器的運行方式和要求，基于自動控制原理和控制方法，結合實驗室流化床焙燒高硫鋁土礦過程的工藝參數(shù)，開發(fā)和設計了流化床焙燒控制系統(tǒng)。主要內容如下1根據(jù)焙燒過程的特點和控制要求，提出以PCI1711型多功能PCI總線數(shù)據(jù)采集卡為控制核心的流化床焙燒過程計算機控制系統(tǒng)框架結構，并對其功能元件進行選型，實現(xiàn)對溫度、流體流量、壓差、煙氣的檢測與控制。2在上述工作基礎上，利用VISUALBASIC60編程工具和DEVICEMANAGER、32BITDLL等驅動軟件，開發(fā)了流化床焙燒過程計算機控制系統(tǒng)的軟件，實現(xiàn)對溫度、氣體流量、壓差和焙燒煙氣成分的等實驗參數(shù)的檢測和控制以及實驗數(shù)據(jù)的采集、存儲、顯示、打印和輸出等功能。

簡介：LED由于具節(jié)能，環(huán)保，長壽命等優(yōu)點，被廣泛的應用和研究。在LED照明的應用中，對人們的生產、生活影響最密切的當數(shù)以LED路燈為代表的大功率LED照明應用。另外，LED路燈多采用交流市電供電，為了防止電網“諧波污染”要求LED驅動電路具有高的功率因數(shù)。本文先闡述LED驅動電路和功率因數(shù)校正技術的基本原理。在此基礎上設計了一種基于BOOST變換器的連續(xù)電流模式，平均電流有源功率因數(shù)校正電路，其既可以用作大功率LED驅動電路的PFC級也可以結合FLYBACK拓撲設計出單級的LED驅動電路。電路的輸入交流范圍為90V264V，開關頻率100KHZ，輸出功率100W，輸出直流電壓為400V，輸出電壓紋波峰峰值為12V。效率大于90％，PF值大于095，達到了設計指標的要求。本文在與某公司的項目合作的基礎上，基于CSMC05ΜM25VBCD工藝，設計了一種適合于連續(xù)電流模式的，采用一種獨特的調制模式的平均電流有源功率因數(shù)校正控制芯片。根據(jù)整體電路的功能要求完成了基準電壓內部電源模塊、電流基準模塊、調制電壓模塊、欠壓鎖定子模塊的設計和仿真。最后，對整體電路的功能和典型性能參數(shù)進行了仿真驗證和分析。

簡介：分類號UDCY93A702密級鳊號高特征溫度大功率應變量子阱半導體激光器設計研究THEDESIGNOFHIGILCHARACTEFISTICTEMPERATUREANDHIGHPOWERSTR8INEDQUANTUMWELLSEMICONDUCTORLASERS學位授予單位及代碼益盎墨三盤空IQ逝專業(yè)名稱及代碼熊皇I堂當固堡壘I鱟塑鯉鰱研究方向高壁生圭墨生邀垂墨申請學位級別題指導教師焦盤墨蒸蕉答辯委員會主席里孟壘墊握研究生至盤論文評聞人ABSTRACTTHEMAINDIRECTIONOFLASERS’DEVELOPMENTISTHEHIGHPOWERSEMICONDUCTORLASEFSINTHECOLLRSEOFI畫ECTIONCURRENTTOT11ESEMICONDUCTORLASERSACTIVELAYCRWHICH、VILLPRODUCES繃0TLLITOFHEATTHE口ROBIEMOFDISSIPATEHEATISANIMPONANTFACTORWH；CHCONFINESTHEDEVEIOPMENTOFHIGHDOWERSEMICONDUCTORLASELWITH出EINCREASCOFTHEPOWERTLLATTHEHIGH_POWERSEMICONDUCTORLASERSWLICHCONFBMTOTLLEMAINPROBLEMJSTHESENSITIVITYTOTEMPERATURE，“ISTHECHARACTERISTICTEMPEMTURETB，THETHESISTHATTHEDESIGNOFHIGHCHARACTERISTICTEMPERAMREANDHI曲DOWERSTRAINEDQUANTUMWELLSEMICONDUCTORLASERSSETOUTF如MTHEQUAM啪WELLSEMICONDUCTORSTRUCTURE，WHICHAILALYSETLLEE虢CTFACTORTOT0INTHEPHVSICALABSTRACTANDPANSOFF矗BRICTHEDESIGNANDF萏BRICATIONOFALINGAAS／ALGAAS／GAASSQUEEZEDSTRAINEDQUANT啪、VELLSEMICONDUCTORLASERSAREDEVELOPEDIN也ISPAPERFORSETNINGNLEPMBLEMTHEHIG|1ESTOPERATIONTEMPERATUREIS60℃，血ATTHEOUTPUTPOWERISOVERLWINMOMTEMPERATURE，THELOWESTMRESHOLDCURFENTIS029A，“HASPMELYREDUCETLLEL踮ERSSE璐ITIVITYTOTEMPERATURCKEYWORDSCHARACTERISTICTEMPERATUI’E，SQUEEZEDSTI強INEDQUANTUMWDLLASERGRLNSTRUCTURE

簡介：大采高綜采面支架工作阻力的確定仍處于探索階段，缺少成熟通用的計算公式。小保當煤礦的開采存在支架工作阻力確定的問題。研究小保當煤礦大采高綜采面支架工作阻力具有重要的理論意義及實際價值。論文結合小保當煤礦開采條件，通過物理相似模擬、數(shù)值模擬實驗對75M、50M大采高綜采面支架受力情況進行分析，同時運用動載荷法及“砌體梁”理論法對其工作阻力進行計算，確定出小保當煤礦75M、50M大采高綜采面支架合理工作阻力分別為22000KN、13500KN；物理相似模擬實驗過程中工作面出現(xiàn)了“懸臂梁”結構，依此建立小保當“大采高懸臂梁”結構模型，給出了相應的支架工作阻力計算公式，利用該公式計算出75M、50M大采高支架工作阻力分別為239289KN、146136KN，其結果與相似模擬、數(shù)值模擬、動載荷法及“砌體梁”理論法計算綜合得出的工作阻力基本一致；通過分析一般采高條件下支架載荷經驗估算法，對小保當大采高支架載荷經驗估算相關參數(shù)進行調整，推導出大采高綜采面支架載荷相當于采高的12～17倍巖柱的重量（定義為大采高經驗公式）。相似模擬、數(shù)值模擬、動載荷法及“砌體梁”理論法計算綜合確定的75M、50M大采高綜采面支架工作阻力分別為采高的1397、1404倍巖柱重量，大采高經驗公式取值范圍與該結果一致，大采高經驗公式可作為小保當煤礦22煤不同大采高綜采面工作阻力確定的參考；采用“大采高懸臂梁”結構工作阻力計算公式及修正后的大采高經驗公式并結合數(shù)值模擬計算結果，最終確定出小保當煤礦70M、65M、60M、55M大采高綜采面支架合理工作阻力分別為19000KN、17500KN、17000KN、16500KN。論文研究結果為小保當煤礦大采高綜采面的支架選型提供了依據(jù)。

簡介：隨著半導體技術的不斷發(fā)展，工藝特征尺寸不斷縮小，芯片逐漸進入納米階段，靜態(tài)功耗在總功耗中的比例迅速增加。同時工作電壓的降低，隨機摻雜導致的閾值電壓變化增大，給SRAMSTATICROMACCESSMEMY的讀寫穩(wěn)定性也帶來了挑戰(zhàn)。本文即針對130NM工藝下存儲器的讀穩(wěn)定性和靜態(tài)功耗問題進行了分析和設計。本文首先對靜態(tài)低功耗技術和穩(wěn)定性技術做了介紹，然后對9管存儲單元的結構、原理和性能做了深入的研究，由理論分析及仿真對其尺寸進行了優(yōu)化和確定。并通過與傳統(tǒng)的6管單元在相關性能上的比較闡述了其在靜態(tài)功耗和讀穩(wěn)定性上的優(yōu)點，得到了9管單元的噪聲容限比傳統(tǒng)6管單元提高了1倍左右，靜態(tài)功耗降低了20％左右的結論。接下來介紹了SRAM存儲器的整體設計思路及其工作原理，確定了所需外圍電路的種類并對SRAM存儲器整體結構做了相應規(guī)劃。本文以9管存儲單元為核心設計了一個8K容量的SRAM。具體結構包括存儲單元陣列；地址譯碼電路；靈敏放大電路；位線充電電路和行、列選擇電路等。主要對譯碼電路，靈敏放大電路進行了結構及低功耗設計。同時針對9管存儲單元特殊的讀寫時序控制要求設計了行選擇器。本文設計的以9管存儲單元為核心的8KSRAM的靜態(tài)功耗，比以6管單元為核心的存儲器的靜態(tài)功耗降低了15左右；工作頻率為100MHZ，讀取時間約13NS。而對靈敏放大器、譯碼電路以及預充電路的低功耗設計也起到了降低總功耗的作用。

簡介：點擊查看更多高可用性數(shù)據(jù)存儲系統(tǒng)的設計與實現(xiàn).pdf精彩內容。

簡介：高硫水煤氣凈化工藝水洗_脫硫工段的設計DESIGNFORWATERSCRUBBINGDESULFURIZATIONSECTIONSINHIGHSULFURWATERGASPURIFICATIONPROCESS2011年4月，“，I一乳一O一獨創(chuàng)性聲明本人聲明所呈交的學位論文是本人在導師指導下進行的研究JI作及取得的研究成果。據(jù)我所知，除了文中特別加以標志和致謝的地方外，論文中不包含其他人已經發(fā)表或撰寫過的研究成果，也不包含為獲得金妲三些叁堂或其他教育機構的學位或證書而使剛過的材料。與我一同工作的同志對本研究所做的任何貢獻均已在論文中作了明確的說明并表示謝意。學位論文作者簽字移蠆幣‰字日期A舊LF年中月巧日學位論文版權使用授權書本學位論文作者完全了解金艘￡些叁堂有關保留、使鬮學位論文的規(guī)定，有權保留并向國家有關部門或機構送交論文的復印件和磁盤，允許論文被查閱或借閱。本人授權金月巴工些太蘭L可以將學位論文的全部或部分論文內容編入有關數(shù)據(jù)庫進行檢索，可以采用影印、縮印或掃描等復制手段保存、匯編學位論文。保密的學位論文在解密后適用本授權JL；’“一學粼移秀，簽字日期瀘“年牛月船日學位論文作者畢業(yè)后去向工作單位通訊地址簽字日期少T／年和岳2電話郵編

簡介：隨著無線通信技術的飛速發(fā)展，無線電臺的短波波段已經越來越擁擠，相互之間的干擾也變得越來越嚴重。同時無線信號在傳輸過程中會受到瑞利衰弱的限制，從而嚴重影響了信號的接收質量，在這種情況下，傳統(tǒng)的模擬短波接收機已經很難滿足使用需求。所以，在現(xiàn)有信道的前提下，如何接收到高質量的短波信號就成為一個非?，F(xiàn)實的問題。因此接收機的數(shù)字化實現(xiàn)就成為無線通信領域研究的焦點。本論文的工作如下1描述了本課題的背景和意義。在第一章中，主要對本課題中會使用到的基本原理進行了簡要的敘述，介紹了本論文的組織架構。本課題的基本設計思路是通過運用空間分集接收技術和最佳比例同相合成技術，對傳統(tǒng)模擬接收機進行合理的數(shù)字化改造，從而在很大程度上克服了非理想信道中的瑞利衰弱和無線信號之間的相互干擾，最終優(yōu)化了接收信號的質量，提高了接收信號的信噪比。2數(shù)字短波接收機方案的確定。仔細比較了各種接收機方案，并且分析了它們的優(yōu)勢和劣勢，給出了本文采用的接收機方案。在第二章中，通過分析和比較三種不同的數(shù)字接收機的實現(xiàn)方案，最終選擇了寬帶中頻數(shù)字化采樣結構作為本設計的數(shù)字化實現(xiàn)方案。3完成了短波數(shù)字接收機硬件系統(tǒng)電路和電路板的設計與實現(xiàn)。并重點分析研究了關鍵電路部分。由于原模擬設備運行正常且性能良好，本課題使用原模擬接收機作為短波信號接收單元。本系統(tǒng)主要功能模塊包括四路短波接收模塊，四路增益控制模塊和四路模數(shù)轉換模塊，以及FPGA分集合成解調模塊和數(shù)模轉換輸出模塊。本課題的最大特點就是沿用了原有的模擬設備，從而在有效節(jié)約成本的前提下達到了預期的效果。4本課題的研究重點在于短波模擬接收機的數(shù)字化改造的設計方案和空間分集合成的FPGA實現(xiàn)。論文第四章詳細闡述了FPGA模塊部分實現(xiàn)的原理和方式，并著重介紹了空間分集合成的實現(xiàn)過程。5最后在實驗室條件下，對短波數(shù)字接收機數(shù)字部分電路進行了必要的仿真分析。并完成了對短波數(shù)字接收機的整機測試。

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簡介：多電平PWM整流器憑借其對開關器件耐壓要求低，且在同等開關頻率下的諧波含量遠小于兩電平整流器諧波含量等優(yōu)勢，成為了電力電子裝置在高壓大功率應用場合的研究熱點。針對中點箝位式三電平變流拓撲存在的功率器件多、可能導致橋臂直通等不足的問題，從安全和經濟角度出發(fā)，本文以三相三開關三電平VIENNA整流器為研究對象，從拓撲結構、工作原理、控制算法等方面展開較為深入的研究，通過仿真和試驗驗證了VIENNA整流器可使用較少的開關器件實現(xiàn)裝置的單位功率因數(shù)運行。論文首先分析了VIENNA拓撲的不同工作狀態(tài)，在DQ數(shù)學模型下通過引進電流前饋實現(xiàn)了對電流的解耦控制，由此建立了基于PI調節(jié)的雙閉環(huán)控制結構框圖。深入研究三電平空間電壓矢量調制SVPWM算法，并在此基礎上對其進行改進，完成了三電平空間參考矢量合成向兩電平空間矢量合成的變換，簡化矢量合成的復雜度，便于實現(xiàn)數(shù)字控制，并通過仿真驗證了該方法的正確性。針對三電平拓撲電路固有的直流電壓中點不穩(wěn)定問題，本文在分析各合成矢量對中點電位不同影響的基礎上，引進了基于調節(jié)因子的中點電位控制策略。該方法利用短電壓矢量對中點電位的互補影響，動態(tài)調整短電壓矢量的作用時間，以保持中點電位平衡，通過仿真驗證了該策略在中點電位控制方面的有效性。在以上工作的基礎上完成了三相VIENNA整流器功率主回路和基于浮點型DSP數(shù)字控制系統(tǒng)的設計，給出了簡化三電平空間電壓矢量合成算法的程序流程圖，并設計了一臺20KW試驗樣機。試驗結果和波形表明VIENNA整流器在基于簡化SVPWM算法的雙閉環(huán)控制策略下，具有諧波含量低、功率因數(shù)高、動穩(wěn)態(tài)性能良好的特點，且在抑制中點電位波動方面體現(xiàn)出較大的優(yōu)越性。

簡介：隨著MOS制造工藝的不斷進步晶體管的尺寸變得越來越小SRAM存儲單元電路對制造工藝的偏差越來越敏感其性能也就越來越不穩(wěn)定。由于低功耗的性能要求低電源電壓技術也被應用到SRAM單元電路設計中。然而低的電源電壓會導致SRAM存儲單元電路的靜態(tài)噪聲余量SNM進一步的降低也即穩(wěn)定性更差。功耗的增大也是SRAM技術發(fā)展的一個難題。據(jù)ITRS國際半導體技術發(fā)展路線圖預測在嵌入式存儲器當中SRAM存儲單元陣列將占到所有晶體管數(shù)目的一大半。由于SRAM單元數(shù)目的巨大以及漏電流LEAKAGEPOWER的不斷增大SRAM單元陣列的功耗偏大問題也變得越來越突出。傳統(tǒng)的SRAM存儲單元采用的是六管的結構其讀操作采用的是直接存取機理。在讀操作過程中數(shù)據(jù)存儲點通過存取晶體管直接與位線BITLINE相接由于分壓和外部噪聲的影響存儲的數(shù)據(jù)很不穩(wěn)定也就是讀操作的破壞。改良型的七管SRAM結構特別針對六管SRAM讀操作破壞的問題采用數(shù)據(jù)存儲點與位線分離的方法消除了電壓分壓以及外部噪聲的問題其穩(wěn)定性得到顯著提升。但是由于只有一個存取NMOS管用于寫操作加上閾值電壓損失的作用其寫操作的穩(wěn)定性及速度不能達到要求。一種新型的八管SRAM結構被提出其針對于七管SRAM的寫操作的問題在交叉耦合的反相器之間加入了一個PMOS晶體管。在數(shù)據(jù)保持和讀操作過程中PMOS是導通的兩個反相器組成一個鎖存器LATCH從而保持數(shù)據(jù)穩(wěn)定。在寫操作過程中PMOS關斷保持數(shù)據(jù)穩(wěn)定的鎖存器被打斷為串行相連的反相器因此數(shù)據(jù)可以更容易的寫進去寫操作能力增強。在八管SRAM結構中所有的晶體管都采用了最小尺寸晶體管其面積增加不多。多閾值電壓技術也可以應用于SRAM結構從而降低漏電流同時改善讀操作的性能。另外單個位線運用’于讀寫操作使其讀寫操作的動態(tài)功耗得到明顯降低。相對于六管SRAM結構八管的SRAM具有更好的穩(wěn)定性和較低的功耗。

簡介：論文作者簽名型蘊指導教師簽名7卜弓一七轟評閱人2評閱人3評閱人4評閱人5答辯委員會主席但光正委員1周洼委員2沈建塹委員3但迸正委員4姚纓墓委員5揚佳友浙江大學研究生學位論文獨創(chuàng)性聲明本人聲明所呈交的學位論文是本人在導師指導下進行的研究工作及取得的研究成果。除了文中特別加以標注和致謝的地方外，論文中不包含其他人已經發(fā)表或撰寫過的研究成果，也不包含為獲得逝姿盤堂或其他教育機構的學位或證書而使用過的材料。與我一同工作的同志對本研究所做的任何貢獻均己在論文中作孓明確的說明并表示謝意。學位論文作者簽名主4磊簽字日期鈞／。年占月7日學位論文版權使用授權書本學位論文作者完全了解逝姿態(tài)鱟有權保留并向國家有關部門或機構送交本論文的復印件和磁盤，允許論文被查閱和借閱。本人授權逝鎏盤堂可以將學位論文的全部或部分內容編入有關數(shù)據(jù)庫進行檢索和傳播，可以采用影印、縮印或掃描等復制手段保存、匯編學位論文。保密的學位論文在解密后適用本授權書學位論文作者簽名復J磊簽字日期Z，。卜年6月7日導師簽名木弓“苣簽字日期乙9J乙年舌月7目