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簡(jiǎn)介：隨著半導(dǎo)體照明技術(shù)的發(fā)展LED由于其節(jié)能、環(huán)保、壽命長(zhǎng)等優(yōu)點(diǎn)已經(jīng)慢慢向普通照明領(lǐng)域發(fā)展。但是LED低的光轉(zhuǎn)換效率10％20使其大部分能量轉(zhuǎn)換成了熱能造成LED結(jié)溫過高可靠性降低。因此增強(qiáng)LED系統(tǒng)的散熱性能和提高其熱機(jī)械可靠性是LED光源進(jìn)入普通照明領(lǐng)域的關(guān)鍵。本文主要針對(duì)目前市場(chǎng)上的大部分高功率LED產(chǎn)品還存在著LED結(jié)溫偏高可靠性較差性價(jià)比低成本高等一系列問題開展了對(duì)單芯片高功率LED器件陣列組合封裝系統(tǒng)及高功率LED多芯片集成陣列封裝系統(tǒng)的熱設(shè)計(jì)和熱機(jī)械可靠性分析。首先在分析國(guó)內(nèi)外現(xiàn)有高功率LED的熱設(shè)計(jì)及其封裝技術(shù)的基礎(chǔ)上抽象LED的熱模型。運(yùn)用T3STER瞬態(tài)熱阻測(cè)試儀對(duì)高功率LED照明系統(tǒng)中的擴(kuò)散熱阻進(jìn)行實(shí)驗(yàn)分析并同時(shí)測(cè)量相關(guān)熱特性參數(shù)。由擴(kuò)散熱阻實(shí)驗(yàn)分析得出合理地增加LED器件與散熱翅片的有效接觸面積及選擇最優(yōu)的安裝位置可以有效降低系統(tǒng)的擴(kuò)散熱阻提高散熱翅片的散熱效率。其次依據(jù)LED封裝的熱特性與光特性要求結(jié)合實(shí)驗(yàn)分析的結(jié)果及測(cè)量的相關(guān)熱特性參數(shù)對(duì)單芯片高功率LED器件陣列組合封裝系統(tǒng)及高功率LED多芯片集成陣列封裝系統(tǒng)進(jìn)行熱結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)與材料參數(shù)優(yōu)化并運(yùn)用熱阻網(wǎng)絡(luò)模型對(duì)這兩種封裝結(jié)構(gòu)的熱阻及結(jié)溫進(jìn)行計(jì)算分析。運(yùn)用熱阻網(wǎng)絡(luò)模型計(jì)算求得的系統(tǒng)熱阻與結(jié)溫分別為1248KW、7492℃和2214KW、67066℃。然后用ANSYS軟件對(duì)單芯片高功率LED器件陣列組合封裝系統(tǒng)的溫度場(chǎng)分布、熱應(yīng)力場(chǎng)進(jìn)行仿真計(jì)算模擬。通過仿真分析單芯片高功率LED器件陣列組合封裝系統(tǒng)的熱阻為1215KW結(jié)溫為73602℃與熱阻網(wǎng)絡(luò)模型計(jì)算所得到的熱阻1242KW和結(jié)溫7468℃非常接近這也直接驗(yàn)證了熱阻網(wǎng)絡(luò)模型計(jì)算的準(zhǔn)確性。在熱應(yīng)力分析中發(fā)現(xiàn)LED芯片處存在比較大的熱應(yīng)力并且最大熱應(yīng)力通常存在于芯片的邊角處這極易產(chǎn)生分層與翹曲。最后應(yīng)用正交試驗(yàn)設(shè)計(jì)探討了不同材料參數(shù)組合對(duì)LED芯片應(yīng)力的影響對(duì)高功率LED器件的材料參數(shù)進(jìn)行了優(yōu)化得出的最優(yōu)組合方案為芯片襯底材料為SIC、芯片鍵合層材料為SN63PB37、熱沉材料為ALN。最后對(duì)高功率LED多芯片集成陣列封裝系統(tǒng)的穩(wěn)態(tài)溫度場(chǎng)分布進(jìn)行模擬分析并對(duì)其系統(tǒng)散熱結(jié)構(gòu)進(jìn)行優(yōu)化。通過仿真分析高功率LED多芯片集成陣列封裝系統(tǒng)的熱阻與結(jié)溫2406KW、70717℃與熱阻網(wǎng)絡(luò)模型計(jì)算所得的值2214KW、67066℃非常接近。在綜合考慮各方面因素的同時(shí)通過正交試驗(yàn)設(shè)計(jì)對(duì)系統(tǒng)結(jié)構(gòu)參數(shù)進(jìn)行了優(yōu)化主要考慮各參數(shù)對(duì)系統(tǒng)結(jié)溫產(chǎn)生的影響得出了一組最優(yōu)的參數(shù)組合方案即當(dāng)LED芯片襯底為SI鍵合層材料為SN63PB37厚度為002MM翅片高度為70MM翅片寬度為17535MM翅片個(gè)數(shù)為60中心柱高度為15MM時(shí)系統(tǒng)結(jié)構(gòu)的散熱性能最好可靠性最高。

簡(jiǎn)介：自從蘋果推出IPHONE之后，智能手機(jī)開始日漸普及，主流的安卓、IOS、和WINDOWSPHONE系統(tǒng)已經(jīng)占領(lǐng)了市場(chǎng)大部分的份額。智能手機(jī)已經(jīng)改變了人們?nèi)粘Ｊ褂檬謾C(jī)的習(xí)慣，它已經(jīng)不僅僅是用來(lái)打電話發(fā)短信的通訊工具，還可以實(shí)現(xiàn)更加多的功能，比如玩游戲、聽歌、GPS導(dǎo)航、看視頻、攝像、查找自己需要的信息等。隨著LTE技術(shù)的興起和逐步普及，4G牌照在中國(guó)的發(fā)放，支持LTE技術(shù)通信，逐漸成為手機(jī)通信功能不可或缺的部分。因此設(shè)計(jì)一個(gè)實(shí)時(shí)處理能力強(qiáng)、功耗低、可擴(kuò)展性強(qiáng)的移動(dòng)終端，來(lái)滿足目標(biāo)客戶群對(duì)手持設(shè)備的多功能及高性能需求是一個(gè)非常有意義的課題。論文首先介紹了目前全球手機(jī)的市場(chǎng)概況和背景，從市場(chǎng)調(diào)研和客戶需求分析，選擇目前市場(chǎng)上主流的高通平臺(tái)及軟件方案闡明了高通MSM8916處理器和ROID操作系統(tǒng)在各自領(lǐng)域具有的獨(dú)特優(yōu)勢(shì)；接著詳細(xì)介紹了LTE多模多頻射頻設(shè)計(jì)，及介紹了基帶的系統(tǒng)組成和工作原理；介紹了電源管理系統(tǒng)的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)以及主要功能模塊的電源分配的結(jié)果。最后論文論述了手機(jī)射頻部分的測(cè)試和一些重要功能模塊的性能測(cè)試。設(shè)計(jì)中介紹的電源管理系統(tǒng)能夠?yàn)樵O(shè)計(jì)中的各應(yīng)用模塊提供滿足要求的電源，確保了系統(tǒng)健壯性；外設(shè)接口運(yùn)行穩(wěn)定，且達(dá)到節(jié)能的效果；LTE技術(shù)高速的數(shù)據(jù)傳輸特點(diǎn)能夠滿足用戶日益增長(zhǎng)的信息交換需求。從最終版本的測(cè)試和調(diào)試結(jié)果看，論文介紹的高通平臺(tái)設(shè)計(jì)方案達(dá)到了預(yù)期設(shè)計(jì)的要求，實(shí)現(xiàn)了符合市場(chǎng)需求且達(dá)到量產(chǎn)目標(biāo)的這樣一款智能手機(jī)。

簡(jiǎn)介：隨著計(jì)算機(jī)網(wǎng)絡(luò)的廣泛應(yīng)用，網(wǎng)絡(luò)連續(xù)性服務(wù)變得日益重要，要保證網(wǎng)絡(luò)服務(wù)的連續(xù)性，就必須先保證其高可用性。而要保證其高可用，就必需使用高可用性的集群技術(shù)。即高可用性的集群技術(shù)是網(wǎng)絡(luò)服務(wù)連續(xù)性的重要保障技術(shù)。高可用集群技術(shù)能使集群的整體服務(wù)盡可能可用，實(shí)現(xiàn)故障檢查和業(yè)務(wù)切換的自動(dòng)化，從而減少由計(jì)算機(jī)硬件和軟件易錯(cuò)性所帶來(lái)的損失。因此，高可用性集群技術(shù)是目前值得研究的課題。本文主要的研究?jī)?nèi)容如下首先，在對(duì)等網(wǎng)的理論基礎(chǔ)上，本文提出了對(duì)等環(huán)的網(wǎng)絡(luò)拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，并構(gòu)建了對(duì)等環(huán)的雙層對(duì)等環(huán)集群架構(gòu)，并對(duì)該架構(gòu)做了高可用性分析論證。其次，研究了針對(duì)雙層對(duì)等環(huán)集群結(jié)構(gòu)的負(fù)載均衡技術(shù)，即在雙層環(huán)前端采用基于請(qǐng)求類型的負(fù)載均衡策略，在下層環(huán)后端采用自測(cè)式反饋負(fù)載均衡策略。再次，對(duì)集群中最關(guān)鍵技術(shù)容錯(cuò)機(jī)制做了詳細(xì)的研究，首先在系統(tǒng)內(nèi)核層增加動(dòng)態(tài)配置管理層對(duì)集群進(jìn)行整體管理；其次，提出了基于對(duì)等環(huán)結(jié)構(gòu)的鄰居鏈模型并利用該模型進(jìn)行環(huán)內(nèi)節(jié)點(diǎn)故障檢查；然后對(duì)檢查失效的節(jié)點(diǎn)進(jìn)行合理的處理并對(duì)集群狀態(tài)重建。

簡(jiǎn)介：至本世紀(jì)六十年代末，高功率微波技術(shù)作為一門新興邊緣學(xué)科迅速發(fā)展起來(lái)。由于軍事以及科學(xué)研究對(duì)各類新型器件需要更高功率、更高能量、更高頻率，在不到三十年的時(shí)間內(nèi)，使得這門科學(xué)以迅雷不及掩耳的速度發(fā)展起來(lái)?；匦茏鳛楦黝愋滦推骷惺种匾囊环N，具有高的平均功率、高的峰值功率、極高的增益、較高的效率以及適當(dāng)?shù)膸挼戎T多優(yōu)勢(shì)。模式轉(zhuǎn)換是回旋管的極其重要的一部分，它使回旋管的能量按人們需求的方式傳輸和輻射。本文對(duì)VLASOV準(zhǔn)光模式變換器工作原理進(jìn)行分析，通過準(zhǔn)光近似理論的研究，對(duì)VLASOV準(zhǔn)光模式變換器的工作原理進(jìn)行詳細(xì)的分析，得出了計(jì)算VLASOV模式變換器結(jié)構(gòu)尺寸的計(jì)算方法。根據(jù)計(jì)算結(jié)果，設(shè)計(jì)了中心頻率為94GHZ輸入模式為TE03模式的帶有一級(jí)反射面的VLASOV準(zhǔn)光模式變換器。結(jié)果表明轉(zhuǎn)換效率達(dá)到8736％。并利用軟件計(jì)算的方法，首次對(duì)3MM波段VLASOV模式變換器功率容量進(jìn)行研究，結(jié)果表明，功率容量達(dá)到330MW以上，基本不會(huì)出現(xiàn)由于功率過高而產(chǎn)生擊穿現(xiàn)象。研究軸線彎曲與半徑微擾圓波導(dǎo)中的模式耦合問題，并在耦合波理論的基礎(chǔ)上，推導(dǎo)出了各類型變換器的耦合波方程組以及相應(yīng)的耦合系數(shù)一般表達(dá)式。針對(duì)半徑漸變微擾波導(dǎo)模式變換器進(jìn)行了詳細(xì)的仿真優(yōu)化設(shè)計(jì)，設(shè)計(jì)出高效、寬帶、緊湊的波導(dǎo)TE03TE02TE01模式轉(zhuǎn)換器。在此基礎(chǔ)上，設(shè)計(jì)了中心頻率為94GHZ，直徑為18MM的半徑漸變圓波導(dǎo)TE03TE02模式變換器，設(shè)計(jì)效率為987％，90％以上轉(zhuǎn)換效率其帶寬為414％。同時(shí)，半徑漸變圓波導(dǎo)TE02TE01模式變換器，設(shè)計(jì)效率為984％，90％以上轉(zhuǎn)換效率其帶寬為783％。研究了常曲率彎曲模式變換器，采用軟件仿真的方法，設(shè)計(jì)出高效、緊湊的波導(dǎo)TM01TE11模式轉(zhuǎn)換器，有效抑制了這類型模式變換器的寄生模式的輸出功率，提高了轉(zhuǎn)換效率。在此基礎(chǔ)上，設(shè)計(jì)了中心頻率為37GHZ，直徑為8CM的雙彎曲TM01TE11模式轉(zhuǎn)換器，設(shè)計(jì)效率為986％。90％以上的轉(zhuǎn)換效率其帶寬為191％，滿足高功率傳輸需要。

簡(jiǎn)介：全集成環(huán)形壓控振蕩器VCOSVOLTAGECONTROLLEDOSCILLATS由于具有易于集成、寬范圍調(diào)諧、高線性及面積小等特征已經(jīng)成為許多數(shù)字和通信系統(tǒng)的關(guān)鍵模塊本文對(duì)寬調(diào)諧高線性低相位噪聲的VCO進(jìn)行了設(shè)計(jì)研究在對(duì)VCO的基本原理和主要性能進(jìn)行了全面的分析后合理選擇了壓控振蕩器電路結(jié)構(gòu)考慮到低成本易于集成等因素采用環(huán)形結(jié)構(gòu)的VCO并應(yīng)用CMOS工藝實(shí)現(xiàn)而且電路形式上分別研究了單端環(huán)形結(jié)構(gòu)和差分環(huán)形結(jié)構(gòu)主要完成的工作如下1采用傳輸門變阻來(lái)改善單端結(jié)構(gòu)的調(diào)諧范圍和線性度采用TSMC025ΜM工藝由HSPICE軟件模擬得到三個(gè)參數(shù)分別為288KHZ924MHZ、310KHZMV、85DBCHZ補(bǔ)償頻率600KHZ中心頻率800MHZ和104DBCHZ補(bǔ)償頻率6MHZ中心頻率800MHZ具有3個(gè)數(shù)量級(jí)的頻率可調(diào)范圍優(yōu)良的線性度和適中的相位噪聲2采用CMOS線性電阻方法來(lái)提高差分結(jié)構(gòu)的調(diào)諧范圍和線性度三個(gè)參數(shù)分別為135MHZ421GHZ、177MHZMV、76DBCHZ補(bǔ)償頻率600KHZ中心頻率2GHZ和95DBCHZ補(bǔ)償頻率6MHZ中心頻率2GHZ還應(yīng)用雙通道插值延時(shí)法來(lái)調(diào)節(jié)差分結(jié)構(gòu)VCO的振蕩頻率其可控范圍為31在相位噪聲改善上引入了SC3A差分結(jié)構(gòu)得到87DBCHZ補(bǔ)償頻率600KHZ中心頻率2GHZ和108DBCHZ補(bǔ)償頻率6MHZ中心頻率2GHZ的較好效果最后還給出了差分結(jié)構(gòu)振蕩擺幅較小的解決方案在實(shí)際應(yīng)用中使VCO的輸出波形振幅大于1伏以上

簡(jiǎn)介：自動(dòng)稱重系統(tǒng)的準(zhǔn)確度、穩(wěn)定性及可靠性是系統(tǒng)極其重要的質(zhì)量指標(biāo)，也是用戶最關(guān)心的問題。本課題是針對(duì)攀枝花元亨實(shí)業(yè)有限公司機(jī)械分公司的高鈦渣碎分設(shè)備進(jìn)行的自動(dòng)稱重系統(tǒng)設(shè)計(jì)。在認(rèn)真研究了國(guó)內(nèi)外自動(dòng)稱重設(shè)備現(xiàn)狀及發(fā)展趨勢(shì)的基礎(chǔ)上，通過對(duì)各種控制方案進(jìn)行比較和分析，確定采用單片機(jī)與FPGA相結(jié)合的控制方案。本文在研究中重點(diǎn)做了以下工作1詳細(xì)論述了稱重傳感器、AD轉(zhuǎn)換器、放大器等的選型依據(jù)及參數(shù)配置。2在電路設(shè)計(jì)過程中，對(duì)電源電路、放大電路、由FPGA構(gòu)成的接口電路、USB接口電路等五部分的原理和設(shè)計(jì)方法進(jìn)行探討。在詳細(xì)論述的前提下，給出了這些電路的具體構(gòu)成和仿真結(jié)果。3通過對(duì)控制對(duì)象進(jìn)行數(shù)學(xué)建模，確定控制策略。針對(duì)系統(tǒng)是一階慣性環(huán)節(jié)加滯后的特點(diǎn)，論述了預(yù)測(cè)控制的原理，及采用最小方差控制的受控自回歸積分滑動(dòng)平均簡(jiǎn)稱為CARIMA模型來(lái)對(duì)被控對(duì)象進(jìn)行預(yù)測(cè)建模，從而找出最優(yōu)控制參數(shù)。并對(duì)其進(jìn)行了MATLAB仿真。4與負(fù)載聯(lián)機(jī)試用并調(diào)試，滿足了稱重的準(zhǔn)確度及穩(wěn)定性的要求，得到了廠家的認(rèn)可。

簡(jiǎn)介：點(diǎn)擊查看更多益德礦15號(hào)煤大采高綜采工作面支承應(yīng)力分布規(guī)律研究及超前支護(hù)設(shè)計(jì).pdf精彩內(nèi)容。

簡(jiǎn)介：高填土擋土墻是土木工程中的不可回避的一類工程它的設(shè)計(jì)理論和方法都是工程界研究的熱點(diǎn)其中加筋土擋土墻是近些年來(lái)應(yīng)用的一種新型的擋土結(jié)構(gòu)飽和粘性土地基的處理方法有它的特殊性80年代出現(xiàn)90年代推廣開的CFG樁復(fù)合地基是地基處理的新技術(shù)能夠有效的提高飽和粘性土地基的承載能力該文介紹的是大窯灣外拖箱場(chǎng)站擋土墻的選型和設(shè)計(jì)過程應(yīng)用的恰好是加筋土擋土墻結(jié)構(gòu)和CFG樁地基處理技術(shù)討論了高填土擋土墻的選型加筋土擋土墻的工作機(jī)理飽和粘性土地基處理方法選型CFG樁復(fù)合地基的設(shè)計(jì)及復(fù)合地基下的擋土墻整體穩(wěn)定性所有討論都結(jié)合大窯灣擋土墻的工程特點(diǎn)所有的結(jié)論都在這個(gè)工程中直接應(yīng)用該文討論中隱含討論了工程經(jīng)濟(jì)性的原則和方法最后該文對(duì)加筋土擋土墻的發(fā)展作了預(yù)測(cè)

簡(jiǎn)介：點(diǎn)擊查看更多一種曲率補(bǔ)償高電源抑制比的帶隙基準(zhǔn)源設(shè)計(jì).pdf精彩內(nèi)容。

簡(jiǎn)介：本論文選擇了零中頻架構(gòu)并設(shè)計(jì)了該接收器系統(tǒng)中的零中頻混頻器核心電路和直流偏移消除DCC環(huán)路電路基帶可變?cè)鲆娣糯笃鰾BVGA和基帶低通濾波器BBLPF除外。在混頻器核心設(shè)計(jì)中，利用BICMOS工藝的優(yōu)勢(shì)，采用以吉爾伯特混頻單元為核心的雙平衡BIPOLAR混頻器，利用跨導(dǎo)級(jí)源極負(fù)反饋電阻提高線性度，并設(shè)計(jì)了有效的二階低通濾波器作為負(fù)載實(shí)現(xiàn)增益和基帶預(yù)濾波。在研究直流偏移的來(lái)源和危害后，總結(jié)分析了近年主要的五種DCC技術(shù)，設(shè)計(jì)了一款基于單級(jí)直流負(fù)反饋環(huán)路法的DCC電路。本文對(duì)該DCC電路中的各個(gè)模塊電路BBVGA和BBLPF除外進(jìn)行了詳細(xì)分析，最后給出了各個(gè)模塊和整個(gè)系統(tǒng)的仿真結(jié)果。采用捷智半導(dǎo)體JAZZSEMICONDUCT035ΜMSIGEBICMOS工藝設(shè)計(jì)了電路和版圖，電源電壓5V。仿真結(jié)果表明，混頻器核心電路轉(zhuǎn)換增益為8843DB，雙邊帶噪聲系數(shù)為1743DB，輸入三階交調(diào)點(diǎn)達(dá)138534DBM，消耗電流18MA；整個(gè)環(huán)路系統(tǒng)等效高通拐角頻率范圍為643HZ～476HZ，低頻環(huán)路增益變化范圍281937DB～45788DB或者235453DB～415795DB雙模式輸出。仿真結(jié)果顯示該零中頻混頻器各項(xiàng)性能都能夠很好的滿足系統(tǒng)指標(biāo)要求。

簡(jiǎn)介：光電導(dǎo)開關(guān)具有優(yōu)良的電學(xué)和光學(xué)特性，如耐壓性能強(qiáng)、峰值輸出功率高、響應(yīng)時(shí)間短等優(yōu)點(diǎn)，并且工作不受電磁干擾，從而在高功率超寬帶脈沖產(chǎn)生領(lǐng)域和超快電子學(xué)等學(xué)科領(lǐng)域中有著廣闊的發(fā)展前景，有潛力成為脈沖產(chǎn)生系統(tǒng)中的核心部件。本文簡(jiǎn)要介紹了光電導(dǎo)開關(guān)的國(guó)內(nèi)外發(fā)展現(xiàn)狀及目前實(shí)用化進(jìn)程中存在的問題。以高功率應(yīng)用需求為背景，設(shè)計(jì)并制作耐壓能力超過5KVMM的光電導(dǎo)開關(guān)。通過對(duì)光導(dǎo)開關(guān)工作機(jī)理的學(xué)習(xí)，分析了光導(dǎo)開關(guān)在兩種工作模式下的載流子濃度與場(chǎng)強(qiáng)、入射激光脈寬等參量之間的關(guān)系。采用軟件ANSYS建立橫向與異面結(jié)構(gòu)光導(dǎo)開關(guān)模型，分析了不同開關(guān)外形、不同絕緣介質(zhì)膜包覆的情況下的場(chǎng)強(qiáng)分布狀況，優(yōu)化尺寸參數(shù)以減低最高場(chǎng)強(qiáng)。在高密度碰撞電離理論的基礎(chǔ)上，建立了描述光電導(dǎo)開關(guān)內(nèi)部載流子運(yùn)動(dòng)的理論模型，通過軟件SILVACO對(duì)器件進(jìn)行仿真。仿真結(jié)果預(yù)測(cè)異面結(jié)構(gòu)光導(dǎo)開關(guān)具有更好的耐壓能力。采用不同的絕緣層覆蓋共面開關(guān)兩個(gè)電極，比較了光導(dǎo)開關(guān)在各種絕緣層保護(hù)下的實(shí)驗(yàn)結(jié)果。研究了共面結(jié)構(gòu)、異面結(jié)構(gòu)光導(dǎo)開關(guān)的耐壓性能，驗(yàn)證了仿真結(jié)果，并運(yùn)用模擬計(jì)算得到的數(shù)據(jù)分析了兩者耐壓強(qiáng)度差異的原因。同時(shí)根據(jù)SILVACO的分析結(jié)果，對(duì)實(shí)驗(yàn)中出現(xiàn)的重復(fù)頻率實(shí)驗(yàn)中耐壓偏低情況作出了恰當(dāng)解釋。最后進(jìn)行了激光觸發(fā)實(shí)驗(yàn)，分析結(jié)果表明LOCKON閾值與器件結(jié)構(gòu)有關(guān)。

簡(jiǎn)介：隨著集成電路尺寸的不斷減小和半導(dǎo)體制造工藝的迅速發(fā)展，為了保證整個(gè)系統(tǒng)的優(yōu)良性能，具有高精度和高電源抑制比的基準(zhǔn)電壓源幾乎成了所有模擬和混合電路系統(tǒng)中不可缺少的基本模塊。本文根據(jù)國(guó)內(nèi)外基準(zhǔn)源的研究現(xiàn)狀和發(fā)展趨勢(shì)，在介紹了基準(zhǔn)源工作原理的基礎(chǔ)上，詳細(xì)分析了其溫度特性和電源抑制比頻率特性，最終設(shè)計(jì)了一款采用新的高階補(bǔ)償方法及電源抑制比提高結(jié)構(gòu)的高電源抑制比和高精度的基準(zhǔn)電壓源。本文提出的新的高階溫度補(bǔ)償技術(shù)將原來(lái)只有一個(gè)極值的基準(zhǔn)電壓溫度特性曲線變成了具有三個(gè)極值的溫度特性曲線，這種方法能有效的減小溫度系數(shù)。通過對(duì)電源抑制比頻率特性的分析，提出了兩種提高電源抑制比的方法一方面可以提高運(yùn)放的增益；另一方面可以使運(yùn)放的電源抑制比等于1。結(jié)合提出的高階補(bǔ)償方法和對(duì)電源抑制比頻率特性的分析，設(shè)計(jì)了一種高電源抑制比和高精度的基準(zhǔn)電壓源。對(duì)所設(shè)計(jì)的基準(zhǔn)電壓源電路在33V電源電壓下，采用035ΜM工藝進(jìn)行仿真，仿真結(jié)果表明在40135℃的溫度范圍內(nèi)，輸出電壓只變化了0132MV，溫度系數(shù)為06PPM℃，且輸出電壓對(duì)工藝角不敏感；經(jīng)過優(yōu)化設(shè)計(jì)后，仿真結(jié)果顯示，在頻率為1KHZ時(shí)電源抑制比是112DB，同時(shí)在1GHZ的頻率范圍內(nèi)，最低的電源抑制比為70DB，相對(duì)于其他基準(zhǔn)源的電源抑制比有了顯著提高，特別是高頻時(shí)電源抑制比得到了很大改善。

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簡(jiǎn)介：超材料是由周期性排列的亞波長(zhǎng)尺度的共振結(jié)構(gòu)單元組成的人造材料。通過合理設(shè)計(jì)共振單元的結(jié)構(gòu)，人們可以控制超材料的電磁特性，使之具有自然材料所不具備的特殊光學(xué)性能。近十年來(lái)，人們對(duì)超材料展開了廣泛地研究，主要集中于左手材料、光子晶體等方面，而對(duì)于高折射率超材料的研究較少，僅在最近開始了對(duì)其實(shí)驗(yàn)上的探索。設(shè)計(jì)一種各向同性超材料，使之在較寬頻譜范圍內(nèi)具有高折射率，能為今后的器件制備提供更大的靈活性，因此對(duì)寬頻各向同性高折射率超材料的研究具有十分重要的意義。本文針對(duì)上述電磁超材料的研究不足，從模擬和實(shí)驗(yàn)兩方面對(duì)寬頻各向同性高折射率超材料進(jìn)行了探索和分析。具體包括以下內(nèi)容在模擬上設(shè)計(jì)了一種“工”字型二維結(jié)構(gòu)超材料，并將其拓展到三維結(jié)構(gòu)超材料。首先，采用基于有限元算法的數(shù)值模擬軟件COMSOL對(duì)“工”字型超材料在平面波垂直入射下的諧振特性進(jìn)行了分析，同時(shí)研究了結(jié)構(gòu)參數(shù)對(duì)其電磁性能的影響；利用S參數(shù)反演法提取有效參數(shù)，獲得了該結(jié)構(gòu)的有效折射率，證明了該二維超材料具有高折射率；通過優(yōu)化結(jié)構(gòu)參數(shù)，獲得了性能最優(yōu)的二維高折射率超材料。進(jìn)一步，將上述獲得的二維超材料擴(kuò)展為多層三維結(jié)構(gòu)，同時(shí)提高結(jié)構(gòu)的對(duì)稱性，使之具有寬頻、各向同性的特征。經(jīng)過結(jié)構(gòu)優(yōu)化，在入射光為TE與TM偏振時(shí)，設(shè)計(jì)的三維超材料的折射率峰值分別達(dá)到679和669，并且折射率的半高寬均達(dá)到20THZ以上；此外，該三維超材料具有較低的吸收損耗，在兩種入射光偏振模式下其品質(zhì)因子均達(dá)到150以上。在實(shí)驗(yàn)中制備了二維高折射率超材料。根據(jù)數(shù)值模擬獲得的最優(yōu)幾何參數(shù)，設(shè)計(jì)并制備了掩膜板以進(jìn)行光刻實(shí)驗(yàn)。在光刻實(shí)驗(yàn)中，研究了不同工藝條件（包括光刻膠厚度、曝光劑量、顯影時(shí)間）下光刻膠形貌的變化趨勢(shì)，并分析了產(chǎn)生這種變化的原因。最后，結(jié)合實(shí)際情況確定了最佳的光刻工藝參數(shù)。經(jīng)過對(duì)樣品進(jìn)行鍍膜、剝離過程，完成了所設(shè)計(jì)的高折射率二維超材料的制備。

簡(jiǎn)介：復(fù)數(shù)濾波器作為低中頻接收機(jī)中的重要模塊，實(shí)現(xiàn)鏡像抑制和信道選擇的功能。濾波器靈活的頻率調(diào)諧能力可使接收機(jī)適應(yīng)不同的應(yīng)用場(chǎng)景良好的線性度可以有效降低接收機(jī)的誤碼率。因此可調(diào)諧高線性濾波器的研究對(duì)整個(gè)射頻接收機(jī)系統(tǒng)的功能實(shí)現(xiàn)具有重要意義。本文設(shè)計(jì)了一種用于無(wú)線傳感器網(wǎng)絡(luò)的低中頻接收機(jī)中的可調(diào)諧高線性GMC復(fù)數(shù)濾波器。首先從GMC濾波器的理論知識(shí)與鏡像抑制接收機(jī)的工作原理出發(fā)，分析了GMC復(fù)數(shù)濾波器的實(shí)現(xiàn)方式，之后根據(jù)接收機(jī)的指標(biāo)要求，給出了具體的設(shè)計(jì)方案采用多路反饋法設(shè)計(jì)出復(fù)數(shù)濾波器的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，保證了電路中所用元器件最少以及濾波特性對(duì)元器件較低的靈敏度設(shè)計(jì)了一種基于電流傳輸器的高線性度跨導(dǎo)放大器，實(shí)現(xiàn)了濾波器中跨導(dǎo)值的精確比例關(guān)系為滿足頻率調(diào)諧的要求，本文設(shè)計(jì)了一種新型的跨導(dǎo)放大器主從控制電路，在實(shí)現(xiàn)跨導(dǎo)值調(diào)節(jié)的同時(shí)，將決定GMC濾波器頻率特性的時(shí)間常數(shù)CGM轉(zhuǎn)變?yōu)镽C，使得原本僅用于有源RC濾波器的低功耗頻率校準(zhǔn)電路可用于GMC濾波器中。設(shè)計(jì)的可調(diào)諧高線性GMC復(fù)數(shù)濾波器在SMIC018ΜMCMOS工藝下完成了電路和版圖的設(shè)計(jì)，并流片驗(yàn)證。測(cè)試結(jié)果表明濾波器工作在18V的電源電壓下，靜態(tài)功耗為2MW濾波器的中心頻率調(diào)諧范圍為141KHZ到453KHZ，帶寬調(diào)節(jié)范圍從92KHZ到837KHZ，中心頻率和帶寬可獨(dú)立調(diào)節(jié)濾波器鏡像抑制比大于20DB線性度方面，輸入三階互調(diào)點(diǎn)IIP3大于17DBM。測(cè)試結(jié)果滿足了設(shè)計(jì)指標(biāo)要求。